[发明专利]闪存单元的操作方法有效
| 申请号： | 201410083739.3 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103824593B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 操作方法 | ||
1.一种闪存单元的操作方法，所述闪存单元包括中间电极、第一存储位以及第二存储位，所述第一存储位包括第一位线电极和第一控制栅极，所述第二存储位包括第二位线电极和第二控制栅极；其特征在于，所述闪存单元的操作方法包括：
对所述第一存储位进行读取操作时，施加第一读取电压至所述中间电极，施加第二读取电压至所述第一控制栅极，施加第三读取电压至所述第二控制栅极和所述第一位线电极，将所述第二位线电极与读取电路连接；
对所述第二存储位进行读取操作时，施加所述第一读取电压至所述中间电极，施加所述第二读取电压至所述第二控制栅极，施加所述第三读取电压至所述第一控制栅极和所述第二位线电极，将所述第一位线电极与读取电路连接。
2.如权利要求1所述的闪存单元的操作方法，其特征在于，所述第一读取电压为2.5V至3.5V，所述第二读取电压不大于0V，所述第三读取电压为闪存的电源电压。
3.如权利要求2所述的闪存单元的操作方法，其特征在于，所述第二读取电压为-0.4V至-1V。
4.如权利要求3所述的闪存单元的操作方法，其特征在于，所述第一读取电压为3V，所述第二读取电压为-0.6V。
5.如权利要求1所述的闪存单元的操作方法，其特征在于，还包括：
对所述第一存储位和所述第二存储位进行擦除操作时，施加第一擦除电压至所述中间电极，施加第二擦除电压至所述第一控制栅极和所述第二控制栅极，施加第三擦除电压至所述第一位线电极和所述第二位线电极；
所述第一擦除电压为-2V至-5V，所述第二擦除电压为-6V至-9V，所述第三擦除电压为5V至8V。
6.如权利要求5所述的闪存单元的操作方法，其特征在于，所述第一擦除电压为-4V，所述第二擦除电压为-8V，所述第三擦除电压为6V。
7.如权利要求1所述的闪存单元的操作方法，其特征在于，还包括：
对所述第一存储位进行编程操作时，施加第一编程电压至所述中间电极，施加第二编程电压至所述第一控制栅极，施加第三编程电压至所述第二控制栅极，施加第四编程电压至所述第一位线电极，施加编程电流至所述第二位线电极；
对所述第二存储位进行编程操作时，施加所述第一编程电压至所述中间电极，施加所述第二编程电压至所述第二控制栅极，施加所述第三编程电压至所述第一控制栅极，施加所述第四编程电压至所述第二位线电极，施加所述编程电流至所述第一位线电极；
所述第一编程电压为1.3V至1.8V，所述第二编程电压为6V至9V，所述第三编程电压为4V至6V，所述第四编程电压4V至6V，所述编程电流为0.5μA至4μA。
8.如权利要求7所述的闪存单元的操作方法，其特征在于，所述第一编程电压为1.5V，所述第二编程电压为8V，所述第三编程电压为5V，所述第四编程电压为5V。
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