[发明专利]VDMOS的制造方法和VDMOS

权利要求书

1.一种VDMOS的制造方法，其特征在于，包括：

在N型外延层上依次生成栅氧化层、多晶硅层、P-体区；

在所述P-体区注入N型杂质形成N型源区，所述N型源区包括N-源区和N+源区；所述N+源区位于所述栅氧化层与N-源区之间；

在所述多晶硅层和所述栅氧化层上依次形成氧化层、P+区、介质层、接触孔和金属层，以使得所述金属层分别与所述N-源区、N+源区、栅氧化层、氧化层、介质层中每层的侧面以及所述P+区相连接；

其中，形成所述接触孔的过程，包括：

采用预置工艺流程形成所述接触孔的原始接触孔结构；

采用氢氟酸对所述原始接触孔的侧壁进行湿法刻蚀，去除所述N+源区表面覆盖的部分所述栅氧化层、所述氧化层和所述介质层，以在所述接触孔的侧壁上所述N+源区所在位置形成凸台结构；

将包含所述凸台结构的所述原始接触孔结构作为最终的所述接触孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述P-体区注入N型杂质形成N-源区和N+源区，包括：

在所述P-体区注入磷离子形成N-源区；

在所述P-体区中注入砷离子形成N+源区。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述P-体区注入N型杂质形成N-源区时，注入的N型杂质为磷离子，注入剂量为1.0E13～1.0E14个/cm²，注入能量为100kEV～150KEV。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述N-源区中再次注入N型杂质形成N+源区时，注入的N型杂质为砷离子，注入剂量为1.0E15～1.0E16个/cm²，注入能量为100kEV～150KEV。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，在形成所述接触孔之后，且形成所述金属层之前，还包括：

在所述接触孔中注入P型杂质，以在所述P-体区中形成第一P+型区。