[发明专利]包含天线层的半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

一基板；

一半导体芯片，设于该基板；

一封装体，包覆该半导体芯片且包括一上表面；

一天线层，形成于该封装体的该上表面，该天线层包括二彼此连接的天线槽组，其中各该天线槽组包括一沿一第一方向延伸的第一波导槽，及一沿一第二方向延伸的第一辐射槽组，该第一辐射槽组连接于该第一波导槽。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一辐射槽组包括至少二辐射槽。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该天线层更包括一连接该二天线槽组的阻抗匹配槽。

4.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，各该天线槽组更包括：

一第二波导槽，沿该第一方向延伸，其中该第一辐射槽组连接于该第二波导槽；以及

一第二辐射槽组，连接于该第二波导槽且沿该第二方向延伸。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，更包括:

一馈入元件，电性连接于该半导体芯片且位于该二天线槽组之间。

6.如权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，该基板包括一接地部，该天线层包括一馈入层及一辐射层，该馈入元件电性连接于该馈入层，且该辐射层电性连接于该接地部且与该馈入层隔离。

7.如权利要求6所述的半导体封装件，其特征在于，该封装体包括多个贯孔，所述多个贯孔环绕该馈入元件，该半导体封装件更包括：

多个导电柱，形成于所述多个贯孔内且电性连接于该接地部。

8.如权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，该馈入元件设于且接触于该半导体芯片的一上表面。

9.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该天线层延伸至该封装体的一侧面。

10.一种半导体封装件，包括：

一基板；

一半导体芯片，设于该基板；

一第一封装体，包覆该半导体芯片；

一第二封装体，覆盖该第一封装体；以及

一天线层，形成于该第二封装体，该天线层包括二天线槽组，其中各该天线槽组包括一第一波导槽及一第一辐射槽组，该第一辐射槽组连接于该第一波导槽。

11.如权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，该第一封装体包括一上表面，该半导体封装件更包括：

一屏蔽层，形成于该第一封装体的该上表面，其中该屏蔽层被该第二封装体覆盖。

12.如权利要求11所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：

一第一馈入元件，电性连接该屏蔽层与该半导体芯片；以及

一第二馈入元件，电性连接该屏蔽层与该天线层。

13.如权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：

一馈入元件；

多个贯孔，形成于该第二封装体，所述多个贯孔环绕该馈入元件；以及

多个导电柱，形成于所述多个贯孔内且电性连接于该天线层。

14.如权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：

一屏蔽层，形成于该第一封装体的一侧面。

15.如权利要求14所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：

一第一馈入元件，通过该第一封装体电性连接于该半导体芯片；以及

一第二馈入元件，电性连接该屏蔽层与该天线层。

16.一种半导体封装件的制造方法，包括：

设置一半导体芯片于一基板；

形成一封装体包覆该半导体芯片；

形成一天线层于该半导体封装件的一上表面，其中该天线层电性连接于该半导体芯片；

形成二天线槽组于该天线层，其中各该天线槽组包括一沿一第一方向延伸的第一波导槽，及一沿一第二方向延伸的第一辐射槽组，该第一辐射槽组连接于该第一波导槽。

17.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，该第一辐射槽组包括至少二辐射槽。

18.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，更包括：

形成一阻抗匹配槽于该天线层，其中该阻抗匹配槽连接该二天线槽组。