[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201410081521.4 申请日: 2014-03-06
公开(公告)号: CN103943633A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 刘耀;丁向前;李梁梁;白金超;刘晓伟;郭总杰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多层薄膜,其特征在于,至少一层薄膜具有薄膜图案,且至少一层薄膜在不同区域的厚度与形成该区域薄膜的衬底表面到衬底基板的距离成反比。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底基板上依次设置有栅金属层、覆盖所述栅金属层的栅绝缘层、有源层、源漏金属层、像素电极层以及钝化层,其中所述栅金属层包括栅线,所述栅绝缘层在对应栅线区域的厚度小于栅绝缘层未对应薄膜图案区域的厚度。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述源漏金属层包括源极和漏极,所述钝化层至少在对应所述源极和漏极区域的厚度小于钝化层未对应薄膜图案区域的厚度。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述源极和漏极分别位于所述栅极的两侧,所述有源层在对应源极和漏极之间的区域设置有半导体图案,所述钝化层在对应所述半导体图案区域的厚度大于对应源极和漏极区域的厚度。

5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极层包括像素电极,所述像素电极与漏极电连接,所述钝化层在对应所述像素电极区域的厚度小于钝化层未对应薄膜图案区域的厚度。

6.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上形成至少一层具有薄膜图案的薄膜;

在衬底基板上形成至少一层在不同区域的厚度与形成该区域薄膜的衬底表面到衬底基板的距离成反比的薄膜。

7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,

在衬底基板上形成栅金属层,其中所述栅金属层包括栅线;

在所述衬底基板上形成栅绝缘层,其中,所述栅绝缘层覆盖所述栅金属层,且所述栅绝缘层在对应栅线区域的厚度小于栅绝缘层未对应薄膜图案区域的厚度;

在所述衬底基板上依次形成有源层、源漏金属层、像素电极层以及钝化层。

8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述源漏金属层包括源极和漏极,所述钝化层至少在对应所述源极和漏极区域的厚度小于钝化层未对应薄膜图案区域的厚度。

9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述源极和漏极分别位于所述栅极的两侧,所述有源层在对应源极和漏极之间的区域设置有半导体图案,所述钝化层在对应所述半导体图案区域的厚度大于对应源极和漏极区域的厚度。

10.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述像素电极层包括像素电极,所述像素电极与漏极电连接,所述钝化层在对应所述像素电极区域的厚度小于钝化层未对应薄膜图案区域的厚度。

11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410081521.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top