[发明专利]一种晶圆完整性的侦测方法及晶圆导向器

说明书

本发明提供一种晶圆完整性的侦测方法，至少包括以下步骤：S1：提供一装设有第一称重仪的第一晶圆导向器，在所述第一晶圆导向器中装入至少一片晶圆，并通过所述第一称重仪测得装入晶圆的总重量，得到第一重量值；S2：将所述第一重量值与所述机台电脑内设定的第一设定值进行比较，若差值在第一预设范围内，则判断晶圆完整，可以继续进行后续制程；若差值超出所述第一预设范围，则判断晶圆有残缺。本发明通过在晶圆导向器上装设称重仪，可以通过总的晶圆重量来侦测晶圆的完整性，最大限度地来防止由于不能侦测到破片的晶圆从而后续产品报废的问题。

技术领域

本发明属于半导体领域，涉及一种晶圆完整性的侦测方法及晶圆导向器。

背景技术

随着IC制造中关键尺寸的不断缩小，硅片在进入每道工艺之前表面必须是洁净的，需经过重复多次清洗步骤，去除硅片表面的颗粒、有机物、金属及自然氧化层等类型的沾污，其清洗次数取决于晶圆设计的复杂性和互连的层数。湿化学法清洗和干法清洗是目前主要清洗技术。其中干法清洗又分为等离子体清洗、底温冷凝喷雾清洗、超临界气相清洗、超凝态过冷动力学气相清洗等清洗技术。湿化学法清洗主要是利用溶液、酸碱、表面活性剂、水及其混合物，通过腐蚀、溶解、化学反应等方法，实现某种功能要求或去除晶片表面的沾污物。目前，湿法化学清洗技术是半导体IC工业的主要清洗技术，湿法清洗设备主要有槽式清洗、旋转冲洗甩干、单片腐蚀清洗。

在现有的湿槽工艺（WET bench process）中，经常会遇到晶圆破了一部分，而在该残缺的晶圆进机台的时候侦测器没有侦测到，导致破的晶圆进入清洗槽中。或者在清洗工艺过程中晶圆破了一部分，在出货的时候侦测器没有侦测到，导致碎片留在清洗槽中，对后续的晶圆有大的影响。

在现有的制程中，传送晶圆通常用到臂型卡盘（arm chuck）、晶圆导向器（waferguide）等，但是由于臂型卡盘、晶圆导向器尺寸的局限性，有的时候，破坏程度比较小的晶圆不能够被侦测到。例如晶圆顶部发生残缺，而该残缺部位并不在臂型卡盘夹取的位置、也不在数片器（wafer count）接触的部位、同时也不与晶圆导向器接触，则该残缺晶圆不能被侦测到。破的晶圆进入到清洗槽后会影响到后续产品的缺陷性能（defect performance），甚至引起后续产品倒片、破片等，造成产品报废。

因此，提供一种新的晶圆完整性的侦测方法及晶圆导向器以最大限度来防止由于不能侦测到破片的晶圆从而导致后续产品的报废的问题实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆完整性的侦测方法及晶圆导向器，用于解决现有技术中不能有效监测晶圆的完整性，导致破的晶圆进行后续制程，影响后续产品性能甚至引起后续产品报废的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆完整性的侦测方法，至少包括以下步骤：

S1：提供一装设有第一称重仪的第一晶圆导向器，在所述第一晶圆导向器中装入至少一片晶圆，并通过所述第一称重仪测得装入晶圆的总重量，得到第一重量值；

S2：将所述第一重量值与所述机台电脑内设定的第一设定值进行比较，若差值在第一预设范围内，则判断晶圆完整，可以继续进行后续制程；若差值超出所述第一预设范围，则判断晶圆有残缺。

可选地，所述第一预设范围为0～5克。

可选地，所述第一称重仪与所述机台电脑相连；所述机台电脑将所述第一重量值与所述第一设定值进行比较，做出相应判断。

可选地，所述后续制程为：将所述晶圆导向器内的晶圆放入湿槽内进行清洗。