[发明专利]一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法

权利要求书

1.一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法，包括：

配制水合肼溶液，然后将石墨烯样品放入水合肼溶液中1min-12h，取出后吹干，得到修饰好的石墨烯样品。

2.根据权利要求1所述的一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法，其特征在于：所述水合肼溶液为水合肼和水的混合物，其中水合肼和水的体积比为1:10000-1:1。

3.根据权利要求1所述的一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法，其特征在于：所述石墨烯样品为生长在绝缘体上的石墨烯样品或生长在导体材料后转移到绝缘体或半导体材料上的石墨烯样品。

4.根据权利要求3所述的一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法，其特征在于：绝缘体或半导体材料为碳化硅、硅/二氧化硅、蓝宝石中的一种。

5.根据权利要求3所述的一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法，其特征在于：所述生长在导体材料后转移到绝缘体或半导体材料上的石墨烯样品为将绝缘体或半导体材料放入水合肼溶液中浸泡，然后将石墨烯薄膜转移到绝缘体或半导体材料上。