[发明专利]一种提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法及反相器在审
| 申请号： | 201410074627.1 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104900518A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 赵建文;徐文亚;刘振;钱龙;崔铮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 纳米 薄膜晶体管 均一 方法 反相器 | ||
1.一种提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法，其特征在于，包括：
s1、制备碳纳米管溶液；
s2、对基底进行等离子刻蚀处理，使其改性并具有一定的浸润性；
s3、通过打印方式将碳纳米管溶液定位于基底的沟道之间，得到性能均一的多个碳纳米管薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法，其特征在于：所述步骤s2中，对基底进行氧气等离子刻蚀处理。
3.根据权利要求2所述的提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法，其特征在于：所述步骤s2中，对基底进行氧气等离子刻蚀处理的时间为1min~10min。
4.根据权利要求2所述的提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法，其特征在于：所述步骤s2中，对基底进行氧气等离子刻蚀处理的放电功率为80~120W。
5.根据权利要求1所述的提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法，其特征在于：所述步骤s1中，通过聚合物对碳纳米管的包覆结合，分离得到富集了半导体碳纳米管的溶液。
6.根据权利要求5所述的提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法，其特征在于：所述聚合物选自聚噻吩衍生物、聚芴、聚芴衍生物、聚间苯乙炔衍生物、聚咔唑衍生物以及聚吡啶衍生物中的一种或多种的组合。
7.根据权利要求5所述的提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法，其特征在于：所述碳纳米管的管径为0.6nm~2nm，所获得的碳纳米管溶液为单壁半导体碳纳米管溶液。
8.根据权利要求1所述的提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法，其特征在于：所述基底选自PET、PI、玻璃、硅片或石英；所述步骤s3中，所述打印方式包括喷墨打印或气溶胶打印。
9.一种碳纳米管薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
s1、制备碳纳米管溶液；
s2、对基底进行等离子刻蚀处理，使其改性并具有一定的浸润性；
s3、通过打印方式将碳纳米管溶液定位于基底的沟道之间，得到碳纳米管薄膜晶体管。
10.一种反相器，其特征在于：包括由权利要求9所述的方法制作获得的碳纳米管薄膜晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410074627.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件及其制备方法
- 下一篇：侧墙的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
