[发明专利]一种集成散热结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410074625.2 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN103824824B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郭学平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/467 | 分类号： | H01L23/467;H01L23/367;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 散热 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种集成散热结构，其特征在于，包括：载板、芯片、金属层及封装基板；
所述载板上设置有用于接触外部介质的通孔；
所述载板的一侧设置有凹槽，所述凹槽的一端与所述通孔连通，另一端与所述载板的外边缘连通；
所述金属层设置在所述凹槽的表面；
所述载板连接在所述芯片的上端；
所述芯片封装在所述封装基板的上端。
2.根据权利要求1所述的集成散热结构，其特征在于，所述凹槽至少为一个。
3.根据权利要求1所述的集成散热结构，其特征在于，所述载板为硅、玻璃、金属或有机材料。
4.一种集成散热结构的制造方法，其特征在于，包括：
选取载板，在所述载板上制作用于接触外部介质的通孔；
在所述载板的一端刻蚀凹槽，所述凹槽的一端与所述通孔连通，另一端与所述载板的外边缘连通；
在所述凹槽的表面沉积一层金属层；
将所述载板刻蚀有凹槽的一端焊接在所述芯片的背面；
将所述芯片的正面焊接在所述封装基板上。
5.根据权利要求4所述的集成散热结构的制造方法，其特征在于，所述载板采用硅、玻璃、金属或有机材料制成。
6.根据权利要求4所述的集成散热结构的制造方法，其特征在于，所述凹槽至少为一个，且发热量越高的位置分布的所述凹槽越密集。
7.根据权利要求4所述的集成散热结构的制造方法，其特征在于，采用倒装焊或SMT工艺将所述载板刻蚀有凹槽的一端焊接在所述芯片的背面。
8.根据权利要求4所述的集成散热结构的制造方法，其特征在于，采用倒装焊的方式将所述芯片的正面焊接在所述封装基板上。
9.根据权利要求4所述的集成散热结构的制造方法，其特征在于，还包括：在所述芯片的背面涂上填充胶，用于增加所述载板与所述芯片之间的结合强度。
10.根据权利要求4所述的集成散热结构的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺在所述载板的一端刻蚀凹槽。
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