[发明专利]用于硬盘驱动器的垂直记录介质

说明书

技术领域

本发明涉及一种具体应用于硬盘驱动器的垂直记录介质。

背景技术

垂直记录介质在各种应用中被广泛采用，特别是在计算机行业中。在垂直磁记录介质中，位（bit）由一个方向垂直于垂直记录介质平面的磁场形成，所述垂直记录介质具有垂直磁化各向异性，通常是在适用的基底上有一层磁性材料。通过采用带有所述垂直磁性介质的“单极”磁性换能器或“磁头”实现非常高的线性记录密度。为支持磁盘驱动器容量的增长，需要不断努力以进一步提高记录密度。为了提高记录密度，需要具有（i）高度热稳定性、（ii）低噪声和（iii）磁头与磁盘间距减小的垂直记录介质。

随着技术的进步，垂直记录正在发展向更高的数据率，这就需要更高的工作频率。随着频率的提高，可写性和信号强度将会显著降低，因此改善高频响应十分重要，特别是对于高数据速率程序更是如此。

发明内容

本发明给出了改善高频区响应的若干种方法。通过采用富氧化物磁性层和高压隔层实现良好的隔离，这可有助于在垂直磁记录介质中提供良好的隔离。

考虑到前述内容，在第一个方面，本发明提供了一种应用于硬盘驱动器中的垂直记录介质。所述垂直记录介质可能包含在基底上形成的籽晶层，在籽晶层上形成的软磁底层，随后是取向控制层、中间层和记录层。垂直记录介质还包括闪存层，其包括位于中间层与记录层之间的富氧化物磁性层。该闪存层为后续在其上形成的磁性层提供了良好的隔离平台。中间层可能包含钌（Ru）。中间层的厚度和压力也会影响记录介质的整体隔离效果。

从以下详细说明和所附权利要求中可以清楚地了解本发明的其他特征和优势。

本发明提供了一种垂直记录介质，包括：其上形成有籽晶层的基底；在所述籽晶层上形成的软磁底层；在所述软磁底层上形成的取向控制层；在所述取向控制层上形成的中间层；在所述中间层上形成的闪存层，所述闪存层包括一种氧化物；以及包括在所述闪存层上形成的记录层。有利的是，所述闪存层内的所述氧化物形成一个有隔离作用的边界，以影响所述记录层内的晶粒间的交换耦合。

闪存层内的氧化物的体积含量约占30%至50%，闪存层的厚度在约0.5nm至约1nm之间，闪存层的压力在约5Pa至约10Pa之间。闪存层优选被配置为使闪存层的增加的厚度可改善垂直记录介质的高频响应。闪存层还优选被配置为使闪存层的增加的压力可改善垂直记录介质的高频响应。闪存层优选被配置为使闪存层的增加的厚度可降低垂直记录介质内的团簇尺寸。闪存层优选被配置为使闪存层的增加的压力可降低垂直记录介质中的团簇尺寸。

中间层的厚度在约7nm至约10nm之间，中间层的压力在约10Pa至约16Pa之间。中间层被优选配置为使在中间层增加的压力可改善垂直记录介质的高频响应。中间层优选被配置为使在中间层增加的压力可降低团簇尺寸。

闪存层优选包括：第一磁性层，所述第一磁性层具有高的各向异性常数（Ku），和厚度在约1nm至约2nm之间的的晶粒边界；还包括在第一磁性层上形成的第二磁性层，所述第二磁性层具有比第一磁性层低的Ku值，和比第一磁性层薄的晶粒边界。闪存层优选在垂直记录介质的中间层上形成。第一磁性层和第二磁性层的压力在约3Pa至约7Pa之间。

附图说明

以下将通过示例参照附图对本发明进行介绍，其中：

图1示出了本发明的垂直记录介质的示意图；

图2示出了根据本发明的一个实施例的ΔROW随闪存层和中间层的厚度和压力的变化情况；

图3示出了根据本发明的另一个实施例的团簇尺寸（Dn）随开关场分布（dHc/Hc）的变化情况。

具体实施方式

以下将参照图1至3对根据本发明的垂直记录介质100的示例性实施例进行说明。

如图1所示，本发明的垂直记录介质100的结构的第一个实施例包括一个在基底10上形成的籽晶层20。在籽晶层20上形成有一个软磁底层30。软磁底层30可能包括第一软磁底层32和第二软磁底层34，在第一软磁底层32与第二软磁底层34之间提供有一个抗摩擦涂层（AFC）层33。应该理解的是，AFC层33可以是可选的。在软磁底层30上形成有一个取向控制层40。在取向控制层40上形成有一个中间层50。在中间层50上形成有一个闪存层60。此外，随后还在闪存层60上分别形成记录层70、保护层80和润滑层90。

基底10优选由铝合金制成。在其他实施例中，基底10可能由玻璃、硅或碳化硅等材料制成。基底10的平均表面粗糙度优选不应大于约0.3nm，且不应小于约0.1nm。