[发明专利]用于硬盘驱动器的垂直记录介质

权利要求书

1.一种垂直记录介质，包括：

基底，具有在其上形成的籽晶层；

软磁底层，其在所述籽晶层上形成；

取向控制层，其在所述软磁底层上形成；

中间层，其在所述取向控制层上形成；

闪存层，其在所述中间层上形成，所述闪存层包括氧化物；以及

记录层，其在所述闪存层上形成，所述闪存层中的所述氧化物形成边界，所述边界具有隔离作用，以影响所述记录层中的晶粒间的交换耦合。

2.如权利要求1所述的垂直记录介质，其中所述闪存层中的所述氧化物的体积含量约为30%至50%。

3.如权利要求1所述的垂直记录介质，其中所述闪存层的厚度在约0.5nm至约1nm之间。

4.如权利要求1所述的垂直记录介质，其中所述闪存层的压力在约5Pa至10Pa之间。

5.如权利要求1所述的垂直记录介质，其中所述中间层的厚度在约7nm至约10nm之间。

6.如权利要求1所述的垂直记录介质，其中所述中间层的压力在约10Pa至约16Pa之间。

7.如权利要求1所述的垂直记录介质，其中所述闪存层被配置，使得所述闪存层的增加的厚度改善所述垂直记录介质的高频响应。

8.如权利要求1所述的垂直记录介质，其中所述闪存层被配置，使得在所述闪存层增加的压力改善所述垂直记录介质的高频响应。

9.如权利要求1所述的垂直记录介质，其中所述中间层被配置，使得在所述中间层增加的压力改善垂直记录介质的高频响应。

10.如权利要求1所述的垂直记录介质，其中所述闪存层被配置，使得所述闪存层的增加的厚度降低所述垂直记录介质中的团簇尺寸。

11.如权利要求1所述的垂直记录介质，其中所述闪存层被配置，使得在所述闪存层增加的压力降低所述垂直记录介质中的团簇尺寸。

12.如权利要求1所述的垂直记录介质，其中所述中间层被配置，使得在所述中间层增加的压力降低团簇尺寸。

13.如权利要求1所述的垂直记录介质，其中所述闪存层包括：

第一磁性层，所述第一磁性层具有高的各向异性常数Ku和厚度在约1nm至约2nm之间的晶粒边界；

第二磁性层，其在所述第一磁性层上形成，所述第二磁性层具有低于所述第一磁性层的各向异性常数Ku，且具有比所述第一磁性层薄的晶粒边界；

其中所述闪存层在所述垂直记录介质的所述中间层上形成。

14.如权利要求13所述的垂直记录介质，其中所述第一磁性层和所述第二磁性层的压力在约3Pa至约7Pa之间。