[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201410071801.7 申请日: 2014-02-28
公开(公告)号: CN104241347B 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 末代知子;押野雄一;河村圭子;田中文悟 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 杨谦,房永峰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具有:

第一导电型的第一半导体层;

第一绝缘层,与所述第一半导体层相接而设置;

第二导电型的第二半导体层,与所述第一绝缘层相接并设置于所述第一半导体层内;以及

多个平坦的场板电极,设置于所述第一绝缘层内,距所述第一半导体层的距离不同,所述多个平坦的场板电极被周期性配置,

周期性配置的所述场板电极中的最靠近单元区域的一个周期的所述场板电极与发射电极连接,

与发射电极连接的所述场板电极的外侧的所述场板电极成为浮动部,

使最靠近所述单元区域的区域为第一终端区域、使比所述第一终端区域更远离所述单元区域的区域为第二终端区域时,

所述第一终端区域和所述第二终端区域的任一区域中都具有多个所述场板电极,多个所述场板电极的距第一半导体层的距离不同,

在所述第一终端区域中,多个所述场板电极分别与所述发射电极连接,

在所述第二终端区域中,多个所述场板电极各自被电连接着,处于浮动电位。

2.一种半导体装置,具有:

第一导电型的第一半导体层;

第一绝缘层,与所述第一半导体层相接而设置;

第二导电型的第二半导体层,与所述第一绝缘层相接,设置于所述第一半导体层内;以及

多个平坦的场板电极,设置于所述第一绝缘层内,距所述第一半导体层的距离不同,所述多个平坦的场板电极被周期性配置,

所述场板电极中的至少一个通过在所述第一绝缘层形成凹部并埋入电极而形成,

使最靠近单元区域的区域为第一终端区域、使比所述第一终端区域更远离所述单元区域的区域为第二终端区域时,

所述第一终端区域和所述第二终端区域的任一区域中都具有多个所述场板电极,多个所述场板电极的距第一半导体层的距离不同,

在所述第一终端区域中,多个所述场板电极分别与发射电极连接,

在所述第二终端区域中,多个所述场板电极各自被电连接着,处于浮动电位。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置,

在所述场板电极中,具有距第一半导体层的距离相同的多个平坦的场板电极。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置,具备:

第二导电型的第三半导体层,与所述第一绝缘层相接,设置于所述第一半导体层内;

第一导电型的第四半导体层,与所述第一绝缘层相接,选择性地设置于所述第三半导体层内;

第二连接层,与所述第三半导体层以及所述第四半导体层相接,设置于所述第一绝缘层内;

第一布线层,与所述第二连接层相接,设置于所述第一绝缘层内,在第一方向上延伸;

第二布线层,与所述第一布线层相接,设置于所述第一绝缘层内,在与所述第一方向不同的第二方向上延伸;

第一连接层,与所述第一布线层和所述发射电极相接,在所述第一方向上延伸;以及

第三连接层,与所述第二布线层相接,在所述第二方向上延伸,

以包含所述第一方向以及所述第二方向的面截断的所述第一布线层以及所述第二布线层的截面积比所述第二连接层的截面积大,以包含所述第一方向以及所述第二方向的面截断的所述第一连接层以及所述第三连接层的截面积比所述第二连接层的截面积大。

5.如权利要求4所述的半导体装置,

所述第一布线层及所述第二布线层距所述第一半导体层的距离,与所述场板电极中的至少一个场板电极距所述第一半导体层的距离大致相同。

6.如权利要求5所述的半导体装置,

所述场板电极中的至少一部分互相交叉并相接。

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