[发明专利]硅通孔测试版图、测试结构、制备方法及量测方法

权利要求书

1.一种硅通孔测试版图，其特征在于，由硅通孔光刻层的版图与测试模块和引线光刻层的版图叠加形成，其中，

所述硅通孔光刻层的版图包括互为镜像对称图形的第一硅通孔阵列图形和第二硅通孔阵列图形；

所述测试模块和引线光刻层的版图包括：互为镜像对称图形的第一测试模块图形和第二测试模块图形，互为镜像对称图形的若干条第一引线图形和若干条第二引线图形；所述第一测试模块图形包括第一电流施加模块图形和第一电压测试模块图形，所述第二测试模块图形包括第二电流施加模块图形和第二电压测试模块图形；其中，

所述第一硅通孔阵列图形中的各个硅通孔图形与所述第一电流施加模块图形通过所述第一引线图形相连接，所述第一硅通孔阵列图形中的任意一个硅通孔图形与所述第一电压测试模块图形通过所述第一引线图形相连接；

所述第二硅通孔阵列图形中的各个硅通孔图形与所述第二电流施加模块图形通过所述第二引线图形相连接，所述第二硅通孔阵列图形中的任意一个硅通孔图形与所述第二电压测试模块图形通过所述第二引线图形相连接；

所述第一引线图形和所述第二引线图形相同；其中，利用硅通孔测试版图得到的硅通孔测试结构中，单个硅通孔的电阻为R＝NU/2I-R'/2，其中，N为第一硅通孔阵列或第二硅通孔阵列中的硅通孔的数量，I第一电流施加模块所施加的电流源的输出电流，U为第一电压测试模块的电压测试仪器测出的电压，R'为背面金属层的电阻，R为单个硅通孔的电阻。

2.根据权利要求1所述的硅通孔测试版图，其特征在于，所述硅通孔测试版图还包括接触模块图形，所述接触模块图形与所述硅通孔图形一一对应设置，所述接触模块图形的中心与所述硅通孔图形的圆心一一对准，每个所述接触模块图形用于将一个所述硅通孔图形和与之对应的所述引线图形相连接。

3.根据权利要求2所述的硅通孔测试版图，其特征在于，所述接触模块图形设置于所述测试模块和引线光刻层的版图图形中。

4.根据权利要求1所述的硅通孔测试版图，其特征在于，所述第一或第二硅通孔阵列图形为正三角形阵列图形、正方形阵列图形、菱形阵列图形、扇形阵列图形、呈中心对称的六边形阵列图形或呈等腰梯形排布的阵列图形。

5.一种采用权利要求1所述的硅通孔测试版图形成的硅通孔测试结构，其特征在于，包括：

在硅片正面具有互呈镜像对称的第一硅通孔阵列和第二硅通孔阵列；

在硅片背面具有一层金属层，用于将所述第一硅通孔阵列中和所述第二硅通孔阵列中的硅通孔以低电阻相连通；

在硅片正面还具有互呈镜像对称的第一测试模块和第二测试模块，互呈镜像对称的若干条第一引线和若干条第二引线；所述第一测试模块包括第一电流施加模块和第一电压测试模块，所述第二测试模块包括第二电流施加模块和第二电压测试模块；其中，

所述第一硅通孔阵列中的各个硅通孔与所述第一电流施加模块通过所述第一引线相连接，所述第一硅通孔阵列中的任意一个硅通孔与所述第一电压测试模块通过所述第一引线相连接；

所述第二硅通孔阵列中的各个硅通孔与所述第二电流施加模块通过所述第二引线相连接，所述第二硅通孔阵列中的任意一个硅通孔与所述第二电压测试模块通过所述第二引线相连接；

所述若干条第一引线和所述若干条第二引线相同；其中，硅通孔测试结构中单个硅通孔的电阻为R＝NU/2I-R'/2，其中，N为第一硅通孔阵列或第二硅通孔阵列中的硅通孔的数量，I为第一电流施加模块所施加的电流源的输出电流，U为第一电压测试模块的电压测试仪器测出的电压，R'为背面金属层的电阻，R为单个硅通孔的电阻。

6.根据权利要求5所述的硅通孔测试结构，其特征在于，所述硅通孔测试结构还包括接触模块，所述接触模块与所述硅通孔一一对应设置，所述接触模块的中心与所述硅通孔的圆心一一对准，每个所述接触模块用于将一个所述硅通孔，和相对应的所述第一引线或所述第二引线进行连接。

7.根据权利要求5所述的硅通孔测试结构，其特征在于，所述第一或第二硅通孔阵列为正三角形阵列、正方形阵列、菱形阵列、扇形阵列、呈中心对称的六边形阵列、呈等腰梯形排布的阵列。