[发明专利]发光装置、背光模块及照明模块有效
申请号: | 201410070095.4 | 申请日: | 2014-02-26 |
公开(公告)号: | CN104009143B | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 卢一心;林奕翔;陈柏羽 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马雯雯,臧建明 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 背光 模块 照明 | ||
技术领域
本发明有关一种发光装置、背光模块(back light module)及照明模块,特别关于一种具有热敏电阻(thermistor)及发光二极管(LED)的发光装置、背光模块及照明模块。
背景技术
在应用发光二极管的发光装置中,有利用红色LED芯片与蓝色LED芯片搭配来产生照明光线,并且红色LED芯片及/或蓝色LED芯片还会进一步与热敏电阻电性连接。该热敏电阻的电阻值会随着环境温度的上升而改变,电阻值的变化可调整通过红色LED芯片或蓝色LED芯片的电流,进而调整红色LED芯片或蓝色LED芯片的发光亮度,弥补LED芯片的光衰特性。
然而,该热敏电阻通常为表面固定技术(Surface Mount Techno1ogy,SMT)型态,其需借由回焊工艺(reflow process)才能固定至电路基板上。此外,SMT型态的热敏电阻需设置于两电极的交界处上,才能使得热敏电阻的阳极端及阴极端分别电性连接到两电极,严重局限基版电路设计。另一方面,SMT型态的热敏电阻具有较大的尺寸(即毫米级),在今日发光装置微小化至毫米级的情况下,无法将传统的热敏电阻封装于承载组件内,有碍于照明设备的微型化发展。
有鉴于上述现有的发光装置、背光模块及照明模块存在的缺陷,本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识,并配合学理的运用,积极加以研究创新,以期创设一种新的发光装置、背光模块及照明模块,能够改进一般现有的发光装置、背光模块及照明模块,使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经过反复试作样品及改进后,终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于,克服现有的发光装置、背光模块及照明模块存在的缺陷,而提供一种新的发光装置、背光模块及照明模块,所要解决的技术问题是使其热敏电阻具有芯片级(chip leve1)尺寸,即从发光装置顶面观之,其与现有发光二极管芯片面积相当,可封装于承载组件内,且可借由发光二极管芯片的固晶打线工艺固定于装置的电极上并与发光二极管芯片电性连接,使得该发光装置的封装较为便利,非常适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的发光装置,包括:承载组件,具有多个电极,其中上述多个电极至少包括第一电极及第二电极;第一发光二极管芯片,设置于该承载组件上;热敏电阻,设置于该承载组件上,并与该第一发光二极管芯片电性连接;以及多个金属导线,协同上述多个电极、该第一发光二极管芯片以及该热敏电阻形成电路;其中,从该发光装置的顶面观之,该热敏电阻具有芯片级的尺寸。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的发光装置,其中所述的热敏电阻的尺寸为约0.15mm乘约0.15mm至约1mm乘约1mm。
前述的发光装置,其中所述的热敏电阻具有第一接着区及第二接着区,该第一接着区固定于上述多个电极中。
前述的发光装置,其中所述的多个金属导线包括第一金属导线,该第一金属导线是电性连接该热敏电阻与该第一发光二极管芯片。
前述的发光装置,其中所述的发光装置更包括第二发光二极管芯片,设置于该承载组件上,并与该热敏电阻电性及/或该第一发光二极管芯片连接。
前述的发光装置,其中所述的多个金属导线更包括第二金属导线,该第二金属导线是电性连接该热敏电阻及该第二发光二极管芯片。
前述的发光装置,其中所述的第一发光二极管芯片、该第二发光二极管芯片及该热敏电阻是分别设置于该第一电极或该第二电极上。
前述的发光装置,其中所述的第一发光二极管芯片与该热敏电阻是设置于同一个该电极上。
前述的发光装置,其中所述的多个电极更包括第三电极,该第一发光二极管芯片、该第二发光二极管芯片及该热敏电阻是分别设置于该第一电极、该第二电极或该第三电极上。
前述的发光装置,其中所述的第一发光二极管芯片与该热敏电阻是设置于同一个该电极上。
前述的发光装置,其中所述的芯片级热敏电阻为正温度系数(positive thermal coefficient)。
前述的发光装置,其中所述的热敏电阻在低于特定温度时具有第一电阻增加率,而在高于该特定温度时具有第二电阻增加率;该第二电阻增加率大于该第一电阻增加率,而该特定温度介于约摄氏60度至约摄氏110度之间。
前述的发光装置,其中所述的特定温度介于摄氏65度至75度之间。
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