[发明专利]改进的硅通孔结构制备方法无效
| 申请号： | 201410069336.3 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103794554A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 勇振中;张文奇 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改进 硅通孔 结构 制备 方法 | ||
1.一种改进的硅通孔结构制备方法，其特征是，所述硅通孔结构制备方法包括如下步骤：
（a）、提供基板（1），所述基板（1）包括正面以及与所述正面对应的背面，在基板（1）内刻蚀形成所需的深孔（2），所述深孔（2）从基板（1）的正面指向背面的方向延伸；
（b）、在所述深孔（2）内进行氧等离子体环境下的氧等离子氧化或氧等离子体阳极氧化，以在深孔（2）的内壁上形成氧化层，所述氧等离子体氧化过程中基板（1）的温度为200℃~600℃；
（c）、在具有氧化层的深孔（2）内沉积得到阻挡层以及种子层，所述阻挡层位于种子层与氧化层之间；
（d）、在上述深孔（2）内进行金属导体填充，所述金属导体填充在深孔（2）内，阻挡层包裹在金属导体的外圈；
（e）、对基板（1）的背面进行减薄，以形成所需的通孔结构。
2.根据权利要求1所述的改进的硅通孔结构制备方法，其特征是：所述基板（1）为硅基板，深孔（2）在基板（1）内的深度小于基板（1）的厚度。
3.根据权利要求1所述的改进的硅通孔结构制备方法，其特征是：所述基板（1）利用光刻胶（3）或硬模板（8）作为掩膜进行刻蚀，以得到深孔（2）。
4.根据权利要求3所述的改进的硅通孔结构制备方法，其特征是：所述基板（1）利用光刻胶（3）刻蚀得到深孔（2）后，去除基板（1）正面上的光刻胶（3），并对基板（1）及深孔（2）进行清洗。
5.根据权利要求3所述的改进的硅通孔结构制备方法，其特征是：所述基板（1）利用硬模板（8）刻蚀得到深孔（2）后，对基板（1）及深孔（2）进行清洗。
6.根据权利要求1所述的改进的硅通孔结构制备方法，其特征是：所述氧化层的厚度为0.1μm~2μm。
7.根据权利要求1所述的改进的硅通孔结构制备方法，其特征是：所述步骤（d）中，金属导体填充在深孔（2）后，对基板（1）的正面利用CMP工艺进行平坦化。
8.根据权利要求1所述的改进的硅通孔结构制备方法，其特征是：所述金属导体的材料包括铜。
9.根据权利要求1所述的改进的硅通孔结构制备方法，其特征是：所述金属导体通过电镀方式填充在深孔（2）内。
10.根据权利要求3所述的改进的硅通孔结构制备方法，其特征是：所述硬模板（8）采用氮化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
