[发明专利]基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种基板及其制造方法，以及设有该基板的显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）由于具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在平板显示领域中占据了主导地位。

目前的液晶显示器中，为了降低公共电极的电阻，会在基板中增设公共金属层，并使该公共金属层与公共电极并联，以降低公共电极的电阻。但是，本发明人在实现本发明的过程中发现，现有技术至少存在以下问题：现有技术中，该公共金属层通常与薄膜晶体管单元的栅极位于同一层，所以该公共金属层会阻挡光的射出，导致液晶显示器的开口率降低。

发明内容

本发明实施例提供了一种基板及其制造方法，以及设有该基板的显示装置，解决了现有技术中的公共金属层会导致开口率降低的技术问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明提供一种基板，包括衬底基板，以及形成于所述衬底基板上的黑矩阵和公共金属层；其中，所述公共金属层与所述黑矩阵的图形相同。

可选的，所述基板为彩膜基板，所述基板还包括形成于所述衬底基板上的彩膜层。

或者，所述基板为阵列基板，所述基板还包括形成于所述衬底基板上的薄膜晶体管单元。

在一个示例中，所述阵列基板还包括形成于薄膜晶体管单元上方的树脂层，以及形成于所述树脂层下方的彩膜层。

可选的，该阵列基板还包括第一透明电极和第二透明电极；可选的，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。

或者，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极。

本发明还提供一种基板的制造方法，包括：

在衬底基板上形成黑矩阵和公共金属层的图形，所述黑矩阵和所述公共金属层的图形相同。

进一步，所述制造方法还包括：

在衬底基板上形成彩膜层的图形。

进一步，在所述在衬底基板上形成黑矩阵和公共金属层的图形之前，还包括：

形成薄膜晶体管单元；

形成树脂层的图形；

在所述在衬底基板上形成黑矩阵和公共金属层的图形之后，还包括：

形成第一透明电极的图形；

形成保护层的图形；

形成第二透明电极的图形。

进一步，在所述在衬底基板上形成薄膜晶体管单元之后，还包括：

形成彩膜层的图形。

优选的，所述形成黑矩阵和公共金属层的图形，具体为：

形成黑矩阵层；

利用掩膜版，对所述黑矩阵层进行光刻工艺，形成黑矩阵的图形；

形成公共金属层；

利用所述掩膜版，对所述公共金属层进行光刻工艺，形成公共金属层的图形。

或者，所述形成黑矩阵和公共金属层的图形，具体为：

形成黑矩阵层；

在所述黑矩阵层上形成公共金属层；

利用所述掩膜版，对所述公共金属层进行光刻工艺，形成公共金属层的图形；

以所述公共金属层的图形作为掩膜，对所述黑矩阵层进行灰化工艺，形成黑矩阵的图形。

本发明还提供一种显示装置，包括上述的基板。

与现有技术相比，本发明所提供的上述技术方案具有如下优点：本发明提供的技术方案中，形成了与黑矩阵的图形相同的公共金属层，该公共金属层与公共电极电连接，因为公共金属层的材质为金属，所以方块电阻低，故可降低公共电极的电阻。并且，该公共金属层与黑矩阵的图形相同，所以还保持了原有的高开口率，解决了现有技术中的公共金属层会导致开口率降低的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1为本发明的实施例1所提供的彩膜基板的示意图；

图2a至图2d为本发明的实施例1所提供的彩膜基板的制造过程的示意图；

图3a至图3d为本发明的实施例1所提供的彩膜基板的另一种制造过程的示意图；

图4为本发明的实施例2所提供的阵列基板的示意图；

图5为本发明的实施例2所提供的阵列基板的另一示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。

实施例1：