[发明专利]一种多晶片系统

权利要求书

1.一种多芯片系统，该系统包括多个竖直堆叠并通过硅穿孔连接件电连接的芯片层，其中所述多个芯片层中的至少一个包括单个电压域。

2.根据权利要求1所述的多芯片系统，其中所述系统包括至少两个芯片层，该两个芯片层中的每一个被配置成在不同的单个电压域下运行，还包括在至少这两个芯片层之间的电平转换器，以用于转换芯片层之间的信号。

3.根据权利要求2所述的多芯片系统，其中所述多个芯片层的每一个包括单个电压域。

4.根据权利要求3所述的多芯片系统，其中所述电平转换器中的至少一个是同步的。

5.根据权利要求3所述的多芯片系统，其中所述电平转换器中的至少一个是异步的。

6.根据权利要求4所述的多芯片系统，其中所述电平转换器中的至少一个包括在多于一个芯片层上的晶体管。

7.根据权利要求5所述的多芯片系统，其中所述电平转换器中的至少一个包括在多于一个芯片层上的晶体管。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的多芯片系统，其中所述多个芯片层中的至少一个包括单个技术节点。

9.根据权利要求8所述的多芯片系统，其中所述多个芯片层中的至少第一芯片层包括单个技术节点，第二芯片成包括单个技术节点，并且所述第一和第二芯片层的技术节点是不同的。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的多芯片系统，其中所述多芯片系统包括模拟电路和数字电路，所述模拟电路被包括在该多芯片系统的一个芯片层内，而所述数字电路被包括在另一个不同的芯片层内，并且包括所述模拟电路的芯片层比包括所述数字电路的芯片层具有更高的电压域。

11.一种在多芯片系统中配置电压域的方法。该多芯片系统包括多个竖直堆叠并通过硅穿孔连接件电连接的芯片层，该方法包括将所述多个芯片层中的至少一个配置成具有单个电压域。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括将所述多个芯片层中的至少两个芯片层配置为在彼此不同的电压下运行，并且在该至少两个芯片层之间配置电平转换器以转换芯片层之间的信号的电平。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括将所述多个芯片层中的每一个配置成具有单个电压域。

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括将所述多个芯片层中的至少一个配置成具有单个技术节点。

15.根据权利要求13所述的方法，进一步包括将所述多芯片系统中的电路的模拟部分配置在一个芯片层内，将所述多芯片系统中的电路的数字部分配置在另一个不同的芯片层内，该不同的芯片层的电压域低于所述配置有所述模拟部分的所述芯片层。