[发明专利]具有射频屏蔽的系统、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种从晶圆衬底制造硅器件的方法，所述晶圆衬底具有前侧表面和后侧表面，所述硅器件具有射频屏蔽，其特征在于：所述方法包括：

将晶圆衬底的后侧表面附着到划片膜上，所述晶圆衬底的前侧表面上具有数个有源器件；

对晶圆衬底进行划片，并拉伸划片膜，以将数个有源器件分离为数个分开的器件，每个分开的器件具有前侧表面；

将粘性膜施加到分开的器件上，粘性膜保护每个分开的器件的前侧表面并保持其他表面暴露；

去除划片膜，暴露每个分开的器件的后侧表面；

将分开的器件浸入镀覆溶液；以及

将分开的器件保持于镀覆溶液中直至每个分开的器件的暴露表面上被沉积具有厚度的金属。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：浸入分开的器件进一步包括：

预清洁每个分开的器件的暴露表面。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在浸入之前，分开的器件的暴露表面覆有具有厚度的凝胶剂／胶质剂材料，凝胶剂／胶质剂材料亲镀覆溶液，从而在凝胶剂／胶质剂材料上沉积金属。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所沉积的金属是从以下组中选择的：银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(A1)、锌(Zn)、锡(Sn)及镍(Ni)。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：沉积金属的厚度不小于0.05微米。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：沉积金属的厚度在0.05微米至125微米的范围内。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于：沉积金属的厚度在0.05微米至10微米的范围内。

8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在粘性膜上附着附加的带；以及

将分开的器件转移到卷带上。

9.一种半导体器件，所述半导体器件具有前侧表面、后侧表面和垂直表面，其特征在于，所述半导体器件包括：

有源器件管芯，在前侧表面上具有电触点；

镀覆金属屏蔽，位于有源器件管芯的后侧表面和垂直表面上；以及

导电连接，将镀覆金属屏蔽连接到前侧表面上选定的电触点。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，导电连接包括：

再分布层，将前侧表面上的电触点连接到有源器件的预先定义的边缘位置的触点；以及

选定的边缘位置的触点，耦合到划片连接区域。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：选定的电触点为接地连接。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于：划片连接区域耦合到地。

13.一种具有射频屏蔽的系统，其特征在于，该系统包括：

射频屏蔽的半导体器件，包括：

有源器件管芯，在前侧表面上具有凸点触点；

镀覆金属屏蔽，位于有源器件管芯的后侧表面和垂直表面上；以及

导电连接，将镀覆金属屏蔽连接到前侧表面上选定的凸点触点，其中选定的凸点触点为接地连接；

印刷电路板(PCB)基板，包括在绝缘基板上的接地连接；

其中射频屏蔽的半导体器件的接地连接耦合到印刷电路板的接地连接，所述射频屏蔽的半导体器件的接地连接形成为包围整个射频屏蔽半导体器件的射频屏蔽。

14.如权利要求13所述的系统，其特征在于：所述导电连接由施加到有源器件管芯的前侧表面的再分布层提供。

15.一种从晶圆衬底制造硅器件的方法，所述晶圆衬底具有前侧表面和后侧表面，所述硅器件具有射频屏蔽，其特征在于：所述方法包括：

将晶圆衬底的后侧表面附着到划片膜上，所述晶圆衬底的前侧表面上具有数个有源器件；

对晶圆衬底进行划片，并拉伸划片膜，以将数个有源器件分离为数个分开的器件，每个分开的器件具有前侧表面；

将粘性膜施加到分开的器件上，粘性膜保护每个分开的器件的前侧表面并保持其他表面暴露；

去除划片膜，暴露每个分开的器件的后侧表面；以及

向分开的器件的暴露表面上溅射金属直至金属沉积至预定厚度。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括：向溅射的金属上溅射塑料。