[发明专利]具有射频屏蔽的系统、半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件封装。特别地，涉及对裸芯片／圆片级封装进行的改进，以增强有源器件管芯设置到系统中时的射频屏蔽。

背景技术

电子工业持续依赖于半导体工艺的进步以实现在更紧凑的面积上的更强功能的器件。对于许多应用而言，实现更强功能的器件要求将许多电子器件集成进单一硅片中。由于在硅片的每一给定面积上的电子器件的数目上升，制造过程变得更加困难。

IC器件的封装在其最终性能中所起的作用越来越重要。在便携式电子设备中，如PDA、智能手机、平板电脑等，.随着微处理器电路、射频发送器／接收器电路的运行速度越来越快，处理需求的规模上升到千兆赫兹级别。因此，相应的电子设备受到更多的电磁干扰(EMI)的辐射或射频干扰(RFI)及其附随的影响。对于电子电路而言，由于从外源发射的电磁感应或电磁辐射，将会对其产生干扰影响。这种干扰可能中断、阻碍、或降低、限制所述电路的实际性能。例如，这种影响可以从数据的简单退化到数据的完全消失。

可以在高性能器件管芯中应用射频屏蔽。然而，这种屏蔽不能充分利用便携式设备的系统装配中的精确空间。

射频屏蔽存在着这样的需求，可以为有源器件管芯提供保护，且不该有源器件管芯的规格。

发明内容

本发明可应用于半导体器件的封装中，半导体器件进一步可运用于便携式电子设备。在裸芯片上覆盖射频屏蔽。所覆盖的射频屏蔽并不显著地增加器件管芯的整体尺寸。在器件管芯锡焊到系统印刷电路板上后，所植的射频屏蔽形成包围六面的连续射频屏蔽。

根据本发明的一种实施方式，提供一种从晶圆衬底制造硅器件的方法，所述晶圆衬底具有前侧表面和后侧表面。该方法包括：将晶圆衬底的后侧表面附着到划片膜上，所述晶圆衬底的前侧表面上具有数个有源器件；对晶圆衬底进行划片，并拉伸划片膜，将数个有源器件分离为分开的器件，每个分开的器件具有前侧表面；将粘性膜施加到分开的器件上，粘性膜保护每个分开的器件的前侧表面并保持其他表面暴露；去除划片膜，暴露每个分开器件的后侧表面；将分开的器件保持于镀覆溶液直至分开的器件的暴露表面上被沉积预定厚度的金属。

根据本发明另一实施方式，提供一种半导体器件，所述半导体器件具有前侧表面、后侧表面和垂直表面，其特征在于，半导体器件包括：有源器件管芯，在前侧表面上具有电触点；覆盖金属屏蔽，位于有源器件管芯的后侧表面和垂直表面；以及导电连接，将覆盖金属屏蔽连接到前侧表面上选定的电触点。

根据本发明的另一实施方式，提供一种具有射频屏蔽的系统，该系统包括射频屏蔽的半导体器件，其包括：有源器件管芯，在前侧表面上具有凸点触点；覆盖金属屏蔽，位于有源器件管芯的后侧表面和垂直表面；以及导电连接，将覆盖金属屏蔽连接到前侧表面上选定的凸点触点，其中选定的凸点触点为接地连接。该系统进一步包括印刷电路板(PCB)基底，包括在绝缘基底上的接地连接。其中射频屏蔽的半导体器件的接地连接耦合到PCB的接地连接，所述连接形成为包围整个射频屏蔽半导体器件的射频屏蔽。

根据本发明的一种实施方式，提供一种从晶圆衬底制造硅器件的方法，所述晶圆衬底具有前侧表面和后侧表面。该方法包括：将晶圆衬底的后侧表面附着到划片膜上，所述晶圆衬底的前侧表面上具有数个有源器件；对晶圆衬底进行划片，并拉伸划片膜，将数个有源器件分离为分开的器件，每个分开的器件具有前侧表面；将粘性膜施加到分开的器件上，粘性膜保护每个分开的器件的前侧表面并保持其他表面暴露；去除划片膜，暴露每个分开器件的后侧表面；以及向分开的器件的暴露表面上溅射金属直至金属沉积至预定厚度。

以上的发明内容并不代表本发明的下述的各实施方式或其方面。本发明的其他方面和示例的实施方式如以下附图及其说明所述。

附图说明

以下将结合附图对于本发明的实施方式进行进一步详细地描述，其中：

图1A-1C是一种金属屏蔽系统的示例；

图2是一种晶圆级封装器件的金属屏蔽系统的示例；

图3A-3I为本发明一种实施方式的射频屏蔽有源器件管芯的流程；

图4A-4C示出了将有源器件管芯的Vss(地)延伸连接到划片槽的示例，从而在形成的有源器件管芯上，可以通过边缘接触将Vss与射频屏蔽相连；

图5A-5B为本发明一种实施方式的有源器件，其中延伸的Vss连接与印刷电路板的接地平面相连；以及

图6是本发明一种实施方式的金属屏蔽流程的流程图。