[发明专利]一种用于白光LED的Tb3 +/Sm3 +掺杂LiLuF4单晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种用于白光LED的Tb³⁺/Sm³⁺掺杂LiLuF₄单晶体及其制备方法，其特征在于该Tb³⁺/Sm³⁺掺杂氟化镥锂单晶体的化学式为LiLu_d-x-y)Tb_xSm_yF₄，其中x与y分别为Tb与Sm置换Lu的摩尔比，0.015＜x+y＜0.050，x∶y＝1∶1.6～1∶2.1。 

2.根据权利要求1，其特征在于采用的紫外激发源必须满足现有的紫外LED芯片的波长的激发范围，即在360～400nm波长范围激发。 

3.权利要求1所述的一种用于白光LED的Tb³⁺/Sm³⁺掺杂氟化镥锂单晶体的制备方法，其特征在于步骤如下： 

1)、将LiF、LuF₃、TbF₃、SmF₃原料按摩尔百分比51.5∶38.0～46.0∶0.6～2.1∶1.7～8.0混合，置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均匀粉末的混合料； 

2)、将上述混合料置于舟形铂金坩锅中，再安装于管式电阻炉的铂金管道中，然后先用N₂气排除铂金管道中的空气，再在温度760～815℃，通HF气下，反应处理1～5小时，反应处理结束，关闭HF气体与管式电阻炉，用N₂气清洗管道中残留的HF气体，得到多晶粉料； 

3)、将上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩埚中并压实，密封Pt坩埚； 

4)、将密封的Pt坩埚置于硅钼棒炉中，用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的参数为：炉体温度为920～980℃，接种温度为830～850℃，固液界面的温度梯度为20～80℃/cm，驱动机械装置开始下降坩锅进行晶体生长，晶体生长速度为0.2～1.5mm/h，晶体生长结束后，以20～80℃/h下降炉温至室温，得到Tb³⁺/Sm³⁺掺杂LiLuF₄单晶体。 

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于步骤1)中所述的LiF、LuF₃、TbF₃和SmF₃的纯度均大于99.99％。