[发明专利]一种检测多晶硅残留的测试结构

权利要求书

1.一种检测多晶硅残留的测试结构，其特征在于，包括高压测试焊盘、低压测试焊盘、金属线和多晶硅组排；

所述多晶硅组排包括若干纵向平行排列的多晶硅和若干横向平行排列的多晶硅，部分所述若干横向平行排列的多晶硅通过一第一金属线与所述低压测试焊盘连接，其余所述若干横向平行排列的多晶硅通过一第二金属线与所述高压测试焊盘连接；部分所述若干纵向平行排列的多晶硅通过所述第一金属线与所述低压测试焊盘连接，其余所述若干纵向平行排列的多晶硅通过所述第二金属线与所述高压测试焊盘连接；

其中，在所述若干纵向平行排列的多晶硅中，与所述高压测试焊盘连接的多晶硅和与所述低压测试焊盘连接的多晶硅之间为间隔分布；在若干横向平行排列的多晶硅中，与所述高压测试焊盘连接的多晶硅和与所述低压测试焊盘连接的多晶硅之间为间隔分布。

2.根据权利要求1所述的检测多晶硅残留的测试结构，其特征在于，在所述若干纵向平行排列的多晶硅中，与所述高压测试焊盘连接的多晶硅和与所述低压测试焊盘连接的多晶硅长度和宽度相等。

3.根据权利要求1所述的检测多晶硅残留的测试结构，其特征在于，在所述若干横向平行排列的多晶硅中，与所述高压测试焊盘连接的多晶硅和与所述低压测试焊盘连接的多晶硅长度和宽度相等。

4.根据权利要求1所述的检测多晶硅残留的测试结构，其特征在于，在所述若干纵向平行排列的多晶硅中，与所述高压测试焊盘连接的任意一个多晶硅和与其相邻的两个连接于所述低压测试焊盘的多晶硅之间的距离相等。

5.根据权利要求1所述的检测多晶硅残留的测试结构，其特征在于，在所述若干横向平行排列的多晶硅中，与所述高压测试焊盘连接的任意一个多晶硅和与其相邻的两个连接于所述低压测试焊盘的多晶硅之间的距离相等。

6.根据权利要求1所述的检测多晶硅残留的测试结构，其特征在于，在所述若干横向平行排列的多晶硅中，连接于所述低压测试焊盘的多晶硅和连接于所述高压测试焊盘的多晶硅数量相等。

7.根据权利要求1所述的检测多晶硅残留的测试结构，其特征在于，在所述若干纵向平行排列的多晶硅中，连接于所述低压测试焊盘的多晶硅和连接于所述高压测试焊盘的多晶硅数量相等。