[发明专利]用于确定掩模图案的方法及信息处理装置有效
申请号: | 201410058925.1 | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN104007608B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 中山谅;行田裕一 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 确定 图案 方法 记录 介质 信息处理 装置 | ||
一种用于确定掩模图案的方法、记录介质及信息处理装置。通过使用信息处理装置来确定多个掩模的图案的方法,包括:获取关于包含多个图案元素的图案的数据;将所获取的多个图案元素分配到掩模中,将所获取的多个图案元素分解为所述掩模的图案,并且基于掩模的数量、每个掩模中的多个图案元素之间的距离以及连接每个掩模中的多个图案元素的线的角度来计算用于评价指数的评价值。在所述方法中,基于所计算出的评价值来确定每个掩模的图案。
技术领域
本发明涉及一种用于确定掩模图案的方法、一种记录介质以及一种信息处理装置。
背景技术
近年来,随着半导体器件的小型化的进展,已经难以通过使用曝光装置以高精度将所期望的图案转印到晶片上。这种情况的一个原因是减少的半间距,其为电路中所包括的图案之间的最短距离的一半。
为了解决该问题,作为用于以高精度将例如22nm节点的微小图案转印到晶片上的技术,多次曝光构图已经引起关注。该技术用于将具有比曝光装置的分辨率极限的半间距更小的半间距的图案划分为多个掩模图案并且对它们进行曝光,以使用比在如过去那样曝光一次图案的情况更高的精度转印微小图案。
多次曝光构图可能需要确定多个光刻友好掩模图案,据此可以改进例如聚焦深度的分辨性能并且可以改进良率。在美国专利申请公开 No.2007/31740的说明书以及美国专利申请公开No.2010/223590的说明书中公开了用于确定这样的多个掩模图案的方法。
美国专利申请公开No.2007/31740的说明书公开了一种基于迭代方法来将分解规则应用于图案的方法。更具体地,所述方法包括:首先确定图案分解规则,基于所述规则来确定目标图案元素是属于第一掩模还是第二掩模,并且对于每个图案元素重复该操作。根据所述分解规则,图案是基于各图案之间的距离或图案的线宽度根据其是否严格的确定结果而分解。
美国专利申请公开No.2010/223590的说明书公开了一种用于通过假设用于光强度分布(有效光源分布)的两种类型的偶极子照明被形成在照射掩模的照射光学系统的光瞳平面上来确定用于执行曝光两次的多个掩模图案的方法。更具体地,该方法包括:分析x方向和y 方向偶极子照明中的哪个照射适合于转印待分解的图案,并且确定两种类型的掩模图案。具有在y方向上延伸的纵向边沿的图案被确定为用于x方向偶极子照明的掩模图案,而具有在x方向上延伸的纵向边沿的图案被确定为用于y方向偶极子照明的掩模图案。在美国专利申请公开No.2007/31740的说明书中,考虑图案的线宽度或各图案之间的距离但不考虑多个图案元素之间的角度来确定每个掩模图案。这产生具有一个掩模中所包括的不同角度的多个图案元素。当掩模受一个有效光源分布照射时,图案元素的分辨容易性可能变化,可能在分辨一些图案元素时有困难。
根据美国专利申请公开No.2010/223590的说明书,通过将图案元素的边沿的方向与偶极子照明的方向进行关联来划分掩模图案。然而,多个图案元素之间的相对位置关系(即多个图案元素之间的距离或角度)并未纳入考虑。这导致了在一个掩模中出现具有不同相对位置关系的多个图案元素。当掩模受一个有效光源分布照射时,图案元素的分辨容易性可能变化,可能在分辨一些图案元素时有困难。
发明内容
本发明的实施例确定在图案被分解为多个掩模图案时易于分辨的掩模图案。
根据本发明的一方面,提供一种用于确定掩模图案的方法,其通过使用信息处理装置来确定用于多个掩模的图案,所述方法包括:获取关于包含多个图案元素的图案的数据;将所获取的多个图案元素分配到掩模中,将所获取的多个图案元素分解为所述掩模的图案,并且基于掩模的数量、每个掩模中的多个图案元素之间的距离以及连接每个掩模中的多个图案元素的线的角度来计算用于评价指标的评价值,其中,基于所计算出的评价值来确定每个掩模的图案。
根据参照附图对示例性实施例的以下描述,本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
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