[发明专利]层叠晶片的加工方法有效
申请号: | 201410058232.2 | 申请日: | 2014-02-20 |
公开(公告)号: | CN104009002B | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 荒井一尚 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683;B23K26/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 晶片 加工 方法 | ||
本发明提供层叠晶片的加工方法,用于在晶片上层叠有芯片的层叠晶片中将芯片侧粘贴在粘合片上的状态下,也能够将晶片分割成各个芯片。该层叠晶片的加工方法的特征在于,至少在实施分割步骤之前具有如下固定步骤:在与外周剩余区域对应的区域上,在粘合片和晶片的表面的之间配设固定剂,将晶片的外周剩余区域固定在粘合片上。
技术领域
本发明涉及在晶片上配设有多个芯片的层叠晶片的加工方法。
背景技术
以往,作为将多个半导体器件集成到一个封装中的方法之一,三维安装是已知的。该三维安装是将多个半导体器件芯片在三维方向上层叠并进行安装的方法,在三维上进行层叠的技术之一中存在CoW(Chip on wafer:晶片上的芯片)方式(例如,参照专利文献1。)。
在这样的三维安装中,形成了在晶片上层叠有芯片的层叠晶片,通过将该层叠晶片分割成各个芯片,形成了在芯片上层叠有芯片的状态的层叠芯片。
作为分割层叠晶片的方法,如专利文献2所公开的那样,已知有通过具有切削刀的切削装置进行切割的方法。
此外,作为分割层叠晶片的其他的方法,如专利文献3所公开的那样,已知有在照射激光束而形成改质层后对晶片施加外力来进行分割的方法。作为施加外力来进行分割的方法,例如已知专利文献4所公开的使用扩张装置的分割方法。
【专利文献1】日本特开2012-209522号公报
【专利文献2】日本特开2007-214201号公报
【专利文献3】日本专利第3408805号
【专利文献4】日本特开2010-034250号公报
作为层叠晶片的一个方式,已知在晶片状的中介层(中介层晶片)上层叠芯片而得到的层叠晶片。针对这样的方式的层叠晶片,为了实施在中介层上形成的凸块的特性检查,需要在分割成层叠芯片后,设为以被分割的中介层侧成为上侧的方式在粘合片上支撑芯片侧的状态。
为了实现该状态,考虑在将层叠晶片的芯片侧粘贴在粘合片上并使晶片状的中介层从上侧露出的状态下,对层叠晶片进行分割。
但是,在晶片状的中介层的外周剩余区域上未配设芯片,无法通过芯片使中介层粘贴在粘合片上。
因此,如专利文献4所公开的、使用扩张装置扩张粘合片并对晶片状的中介层施加外力的分割方法中,由于外周剩余区域未通过粘贴而固定在粘合片上,因此无法对配设芯片的区域与外周剩余区域之间的边界部分施加外力,产生在该边界部分上无法进行分割的问题。
不仅针对使用晶片状的中介层的层叠晶片存在该问题,针对在形成有器件的器件晶片上层叠了芯片的而得到的层叠晶片也同样存在该问题。
发明内容
本发明正是鉴于以上的问题点而完成的,其目的在于提供一种层叠晶片的加工方法,用于将在晶片上层叠有芯片的层叠晶片的芯片侧粘贴在粘合片上的状态下,也能够将晶片分割成各个芯片。
根据第1方面的发明,提供一种层叠晶片的加工方法,该层叠晶片具有晶片和芯片,该芯片分别层叠在晶片的表面的由交叉的多个分割预定线划分而成的各区域上,该层叠晶片具有层叠有多个芯片的芯片区域和围绕芯片区域的外周剩余区域,在芯片区域与外周剩余区域之间形成有阶差,该层叠晶片的加工方法的特征在于包括:粘合片粘贴步骤,在层叠晶片的芯片侧粘贴粘合片;分割起点形成步骤,在实施粘合片粘贴步骤之前或之后,在晶片上形成沿着层叠晶片的分割预定线的分割起点;以及分割步骤,在实施了粘合片粘贴步骤和分割起点形成步骤后,使粘合片扩张而对层叠晶片施加外力,从分割起点分割晶片,至少在实施分割步骤之前具有固定步骤,在该固定步骤中,在与外周剩余区域对应的区域上,在粘合片与晶片的表面之间配设固定剂,借助于该固定剂将晶片的外周剩余区域固定在粘合片上,由此,外力也被传递到该外周剩余区域并呈放射状地作用拉力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造