[发明专利]一种平面光波导器件制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及平面光波导器件技术领域，更具体地说，涉及一种平面光波导器件制作方法。

背景技术

平面光波导（Planar Lightwave Circuit，PLC）就是将光学模块整合在晶圆上的技术，有助于光通讯组件集成化，缩小体积，以及减少封装次数。平面光波导器件与诸如棱镜、透镜等传统的分立光学器件相比，具有大规模生产、低成本、高稳定性、高集成度等优点，是组成各种集成光器件的核心元件。

所谓平面光波导就是说光波导位于同一平面内，目前常见的平面光波导器件采用二氧化硅制作而成，但是现有的平面光波导器件的制作工艺复杂，降低了产品的良率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种平面光波导器件制作方法，工艺简单，提高了产品的良率。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种平面光波导器件制作方法，包括：

在二氧化硅芯层上形成光刻胶掩膜；

对所述光刻胶掩膜进行热板坚膜；

采用干法刻蚀工艺刻蚀所述二氧化硅芯层，形成波导芯层。

优选的，所述光刻胶掩膜为正性光刻胶掩膜。

优选的，所述光刻胶掩膜厚度范围为2μm～3μm，包括端点值。

优选的，所述光刻胶掩膜厚度为2.7μm。

优选的，所述热板坚膜的温度范围为100℃～120℃，包括端点值，时间范围为50s～70s，包括端点值。

优选的，所述热板坚膜的温度为110℃，时间为60s。

优选的，所述干法刻蚀工艺为电感耦合等离子体刻蚀工艺。

优选的，所述电感耦合等离子体刻蚀工艺的工艺参数为基片温度范围为9℃～11℃，包括端点值；

压强范围为5mtorr～7mtorr，包括端点值；

C₄F₈气体流量范围为13sccm～15sccm，包括端点值；

He气体流量范围为173sccm～175sccm，包括端点值；

H₂气体流量范围为9sccm～11sccm，包括端点值；

上电极功率范围为1650W～1750W，包括端点值；

下电极功率范围为480W～520W，包括端点值；

反应时间范围为20min～22min，包括端点值。

优选的，所述电感耦合等离子体刻蚀工艺的工艺参数为基片温度为10℃；

压强为6mtorr；

C₄F₈气体流量为14sccm；

He气体流量为174sccm；

H₂气体流量为10sccm；

上电极功率为1700W；

下电极功率为500W；

反应时间为21min。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的平面光波导器件制作方法，包括：在二氧化硅芯层上形成光刻胶掩膜，对所述光刻胶掩膜进行热板坚膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述二氧化硅芯层，形成波导芯层。直接采用光刻胶作为二氧化硅芯层的掩膜，无需制作多晶硅层或金属层，简化了制作流程，工艺简单，降低了制作过程中出现错误的几率，提供了产品的良率。

并且，采用热板坚膜工艺对光刻胶掩膜进行坚膜，提高了光刻胶掩膜的强度，降低了在刻蚀二氧化硅芯层时对光刻胶掩膜形貌的破坏，最大程度降低了光刻胶掩膜形貌差而对二氧化硅芯层的刻蚀产生不良影响。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种平面光波导器件制作方法流程图；

图2a～2g为本申请实施例提供的一种平面光波导器件制作结构流程示意图。

具体实施方式