[发明专利]一种平面光波导器件制作方法有效
| 申请号： | 201410057208.7 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103760638A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 柳进荣;李朝阳 | 申请（专利权）人： | 四川飞阳科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 610209 四川省成都市双*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面 波导 器件 制作方法 | ||
1.一种平面光波导器件制作方法，其特征在于，包括：
在二氧化硅芯层上形成光刻胶掩膜；
对所述光刻胶掩膜进行热板坚膜；
采用干法刻蚀工艺刻蚀所述二氧化硅芯层，形成波导芯层。
2.根据权利要求1所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述光刻胶掩膜为正性光刻胶掩膜。
3.根据权利要求2所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述光刻胶掩膜厚度范围为2μm～3μm，包括端点值。
4.根据权利要求3所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述光刻胶掩膜厚度为2.7μm。
5.根据权利要求3所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述热板坚膜的温度范围为100℃～120℃，包括端点值，时间范围为50s～70s，包括端点值。
6.根据权利要求5所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述热板坚膜的温度为110℃，时间为60s。
7.根据权利要求1所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺为电感耦合等离子体刻蚀工艺。
8.根据权利要求7所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述电感耦合等离子体刻蚀工艺的工艺参数为基片温度范围为9℃～11℃，包括端点值；
压强范围为5mtorr～7mtorr，包括端点值；
C4F8气体流量范围为13sccm～15sccm，包括端点值；
He气体流量范围为173sccm～175sccm，包括端点值；
H2气体流量范围为9sccm～11sccm，包括端点值；
上电极功率范围为1650W～1750W，包括端点值；
下电极功率范围为480W～520W，包括端点值；
反应时间范围为20min～22min，包括端点值。
9.根据权利要求8所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述电感耦合等离子体刻蚀工艺的工艺参数为基片温度为10℃；
压强为6mtorr；
C4F8气体流量为14sccm；
He气体流量为174sccm；
H2气体流量为10sccm；
上电极功率为1700W；
下电极功率为500W；
反应时间为21min。
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