[发明专利]用于制造集成电路的方法和集成电路

说明书

技术领域

各个实施例一般地涉及用于制造集成电路的方法和集成电路。

背景技术

在半导体工业中，利用各种过程来制造电子器件，例如诸如处理器、存储器芯片和传感器。除此之外，使用与在半导体工业中使用的制作技术类似的制作技术来开发用于电池（例如薄膜电池）的制作过程可以是合乎期望的。目前的薄膜沉积技术可以允许用薄膜技术制作基于锂离子的电池或可再充电的基于锂离子的电池。

发明内容

根据一个或多个实施例的用于制造集成电路的方法可以包括：在载体中或在载体上方形成电子电路；形成至少一个金属化层结构，该金属化层结构配置成电连接电子电路；以及在至少一个金属化层结构中至少部分地形成固态电解质电池，其中固态电解质电池电连接到电子电路。

附图说明

在附图中，遍及不同的图，相似的参考符号通常指代相同的部分。附图不一定按比例，相反地，重点通常放在图示本发明的原理。在后面的描述中，参照后面的附图描述了本发明的各种实施例，其中

图1在流程图中示出了根据各个实施例的用于制造集成电路的方法；

图2示出了根据各个实施例的、根据图1中示出的方法制造的、包括电池的载体的截面；

图3在流程图中示出了根据各个实施例的用于制造集成电路的方法；

图4A到4C分别示出了根据各个实施例的、根据图3中示出的方法的制造期间的集成电路的截面；

图5A到5K分别示出了根据各个实施例的制造期间的集成电路的截面；

图5K示出了根据各个实施例的包括电子电路和电池的集成电路；以及

图6和图7分别示出了根据各个实施例的制造期间的包括基体结构的集成电路的俯视图和截面。

具体实施方式

后面的详细描述参照通过图示的方式示出具体细节和在其中可以实践本发明的实施例的附图。

关于在侧面或表面“上方”形成沉积材料或在载体“上方”沉积层所使用的词语“上方”在本文中可以用于意指该沉积材料可以“直接”形成在所暗指的侧面、表面或载体上，例如与所暗指的侧面、表面或载体直接接触。关于在侧面或表面“上方”形成沉积材料或在载体“上方”沉积层所使用的词语“上方”在本文中可以用于意指该沉积材料可以“间接”形成在所暗指的侧面、表面或载体上，其中一个或多个附加层布置在所暗指的侧面、表面或载体与该沉积材料之间。

关于结构的横向延伸（或结构元件的横向延伸）所使用的术语“横向”在本文中可以用于意指沿平行于载体表面的方向的延伸。那意指载体的表面（例如衬底的表面或晶片的表面）可以作为基准。另外，关于结构的宽度（或结构元件的宽度）所使用的术语“宽度”在本文中可以用于意指结构的横向延伸（或结构元件的横向延伸）。另外，关于结构的高度（或结构元件的高度）所使用的术语“高度”在本文中可以用于意指沿垂直于载体表面（该载体表面可以是载体的主处理表面）的方向的结构（或结构元件）的延伸。

关于所沉积材料覆盖结构（或结构元件）所使用的词语“覆盖”在本文中可以用于意指所沉积材料可以完全覆盖结构（或结构元件），例如覆盖结构（或结构元件）的所有暴露的侧面和表面。关于所沉积材料覆盖结构（或结构元件）所使用的词语“覆盖”在本文中可以用于意指所沉积材料可以至少部分地覆盖结构（或结构元件），例如至少部分地覆盖结构（或结构元件）的暴露的侧面和表面。

根据各个实施例，本文中描述的形成层（例如沉积层，例如沉积材料，例如使用成层过程）还可以包括形成层，其中该层可以包括各种子层，由此不同的子层可以分别包括不同的材料。换句话说，各种不同的子层可以包括在层中，或各种不同的区可以包括在沉积层中或在沉积材料中。

因为可以存在用于半导体处理中（例如在集成电路、芯片或电池的制作中，例如在处理包括电池的载体、衬底或晶片中）的、通常顺序执行的许多个体过程，所以在整个制造过程中几个基础制造技术可以被使用至少一次。对基础技术的后面的描述应当被理解为说明示例，该技术可以包括在后面描述的过程中。本文中示例性描述的基础技术可以不一定必须解释为比其它技术或方法优选或有优势，因为它们仅用于说明本发明的一个或多个实施例可以被如何实践。为了简洁起见，对本文中示例性描述的基础技术的说明仅是简短的概述并且不应当认为是详尽的规范。

根据各个实施例，后面基础技术中的至少一个可以包括在用于制造集成电路的方法中，或者例如在用于制造包括电池的集成电路的方法中。