[发明专利]用于智能卡的塑料层有效
申请号: | 201410054103.6 | 申请日: | 2014-02-18 |
公开(公告)号: | CN103996064B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | F·德罗兹 | 申请(专利权)人: | 耐瑞唯信有限公司 |
主分类号: | G06K19/07 | 分类号: | G06K19/07 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 张亚非,杨晓光 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 智能卡 塑料 | ||
技术领域
本发明涉及在卡体内部包含至少一个电子单元特别是集成电路的智能卡的领域。特别地,本发明涉及形成卡体的塑料材料。本发明还涉及制造塑料层的方法,所述塑料层旨在在形成多个卡的期间接纳多个电子单元。背景技术
特别地从EP专利号1846874已知有智能卡制造方法,其中由集成电路和导电段形成的组合件被放置在基板上,并且将至少一个集成电路引入到该基板。提出了几种变型。在第一变型中,直接将集成电路推进到形成基板的材料中,由于该材料在其表面上具有导电路径,因此它是相对坚硬的。一般通过使用高温以至少局部地软化基板材料,可实现穿透该材料。在第二种变型中,在插入集成电路之前,在基板中,布置具有基本匹配集成电路的尺寸或与集成电路的尺寸稍有不同的尺寸的壳体。在第三种变型中,形成具有比集成电路的尺寸更大尺寸的壳体,并且在添加集成电路组合件和导电段之前,在该壳体中放置粘合剂;然后,装配设备将集成电路压入到粘合剂,该粘合剂展开并被推回到位于集成电路和壳体的壁之间的空间中。
虽然有可能实现,但是上述变型中的每一种变型都具有缺点。第一种变型面对这样的事实:基板一般由相对坚硬的塑料层形成;在制造智能卡期间,这需要特别的小心,并且特别是要求至少局部地软化由集成电路穿透的区域,以避免损坏集成电路。此外,一旦卡制造完成,由相对坚硬的材料包围集成电路;在使用卡期间,特别是当卡经受弯曲或扭曲时,这可在集成电路上引起过多的机械应力。除了上面提及的第一变型的问题外,第二变型引起了制造问题,因为在将集成电路插入到壳体之前,它需要集成电路相对于壳体的高精度定位。使用可利用的制造工厂,这是可能实现的,但是智能卡的生产则更昂贵。第三变型可克服上述问题中的一些问题,但是它要求在智能卡的制造站点,将树脂滴局部化地施加到基板壳体中。发明内容
本发明的一个目的是克服上述现有技术的问题,并且改进智能卡的制造方法。
因此,本发明涉及塑料薄片,该塑料薄片在形成分别包含多个电子单元的多个智能卡时被涉及。这种塑料薄片由具有第一硬度或第一维卡软化温度的第一材料,以及具有低于所述第一硬度的第二硬度、分别地低于所述第一维卡软化温度的第二维卡软化温度的第二材料组成。所述第二材料位于所述塑料薄片的多个区域中,所述多个区域分别旨在经由穿透到所述第二材料中至少部分地接纳所述多个电子单元。
本发明还涉及制造根据本发明的塑料薄片的方法,其将在以下的详细描述中进行描述。
附图说明
以下将参照作为非限制性示例给出的附图描述本发明,其中:
图1是用于制造双材料塑料薄片的本发明的方法的步骤的示意图。
图2至图3是根据本发明的制造方法的下一个步骤的示意性横截面图。
图4示出了根据本发明的双材料塑料薄片的第一实施例的示意性横截面图。
图5是根据本发明的双材料塑料薄片的第二实施例的示意图。
图6是根据本发明的双材料塑料薄片的第三实施例的示意图。
图7是根据本发明的双材料塑料薄片的第四实施例的示意性俯视图。
图8是在第一智能卡制造方法中根据本发明的双材料薄片的一种使用的示意图。
图9示出了在第一智能卡制造方法中出现以及由图8中所描述的步骤所产生的中间产品。
图10是在第二智能卡制造方法中根据本发明的双材料薄片的一种使用的示意图。
图11示出了在第二智能卡制造方法中出现以及由图10中所描述的步骤所产生的中间产品。
具体实施方式
首先,将描述用于制造塑料薄片的方法,在形成分别包含多个电子单元的多个智能卡时涉及该塑料薄片。如以下将阐明的,这种塑料薄片旨在通过穿透形成单元的材料至少部分地接纳所述多个电子单元。
根据本发明,制造塑料薄片的方法包含以下步骤:
A)取得由具有第一硬度或第一维卡软化温度的第一材料形成的第一薄片2,所述第一薄片具有多个孔4(见图1);
B)在所述多个孔4中,分别放置由具有低于所述第一硬度的第二硬度、分别地低于所述第一维卡软化温度的第二维卡软化温度的第二材料形成的多个盘6(见图1和图2;需要注意的是,出于使附图清楚的原因,图1仅示出了为一行孔所提供的盘)。
在一种变型中,所述第一薄片具有多个腔(盲孔),并且盘被放置在所述多个腔中。在另一种变型中,所述第一薄片具有孔(其穿过所述第一薄片)和腔,其接纳由第二材料形成的所有盘,这些孔和腔被布置为分别接纳第一电子单元和第二电子单元。
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