[发明专利]一种提高存储器性能的方法

权利要求书

1.一种提高存储器性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一flash衬底，该衬底上设置有单元器件区和外围电路区，位于所述单元器件区的衬底之上形成有单元器件栅，且所述外围电路区中还定义有逻辑器件区和高压器件区；

在对所述单元器件区中进行第一掺杂工艺之后，继续进行侧墙形成工艺；

在所述逻辑器件区中制备逻辑器件栅之后，继续于该逻辑器件区中进行栅极氧化修复工艺；

于所述单元器件区中进行第二掺杂工艺后，继续于所述逻辑器件区中进行第三掺杂工艺和热处理工艺；

其中，在对所述单元器件区进行第二掺杂工艺之后不进行任何热处理工艺，直接对逻辑器件区进行第三掺杂工艺及热处理工艺。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对单元器件区进行所述第一掺杂工艺之前，还包括一离子注入工艺，以对单元器件区的阈值电压进行调整。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙的材质为氧化硅。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂工艺为LDD掺杂。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二掺杂工艺用于形成所述单元器件区的源漏掺杂区。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三掺杂工艺包括两步掺杂工艺：对逻辑器件区进行LDD掺杂之后再进行二次掺杂以形成逻辑器件区的源漏掺杂区。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在对所述逻辑器件区完成LDD掺杂之后，根据工艺需求是否进行热处理工艺。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法应用于p-flash器件的制备工艺中。