[发明专利]一种阵列基板制造方法、阵列基板及显示设备

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板制造方法、阵列基板及显示设备。

背景技术

随着显示技术的不断提高，人们对于显示装置的要求也在不断提高，在各种显示技术中，TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）技术因其所具有的低能耗以及成本低廉等优点已广泛地应用于各种显示领域。

液晶显示设备通常使用液晶分子的光学各向异性和偏振特性产生图像，由于光学各向异性的特性，光的偏振随液晶分子的取向方向而变化。通过改变施加给液晶层的电场即可控制液晶分子的取向方向，从而可以改变通过液晶层光线的明暗变化。因此，一般的液晶显示设备包括分别设置于液晶层两侧的阵列基板和彩膜基板，而在阵列基板或彩膜基板的表面通常设置有电极结构，通过改变电极的电压可以在电极之间激发出电场，从而实现对液晶分子的控制。

现有液晶显示设备中的阵列基板的结构通常如图1所示，包括由多条栅线11和数据线12划分成的呈矩阵形式排列的像素单元13，每一个像素单元13的内部设置有开关晶体管TFT，通过采用多条平行设置的栅线11逐行打开各像素单元13的TFT，并通过数据线12通过TFT向与该TFT相连的像素电极（图1中未示出）输入显示信号，实现对液晶层电场的控制。对于传统的阵列基板设计而言，为了确保栅线或数据线之间不发生短路等不良，各条栅线或数据线之间通常彼此独立地平行设置，如图1所示。然而，在阵列基板的工序制程中，一些静电将不可避免地产生在阵列基板的内部，此外，在基板搬运的过程中，如在曝光装置、测量装置或检测装置之间进行装载或卸载时，同样可能会产生静电，而这些静电难以通过现有的电路结构导出或消除，从而滞留在栅线或数据线上，产生静电损坏，严重影响阵列基板上电子器件的质量，从而降低显示装置的产品质量。尤其是对于GOA（Gate Driver on Array，阵列基板行驱动）产品而言，由于GOA电路并无防静电电路的设计，静电所产生的影响对于GOA电路内的电子器件尤为明显。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板制造方法、阵列基板及显示设备，可以消除在阵列基板的制作过程中所产生的静电。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板制造方法，包括：

在基板的表面分别形成多条栅线和数据线，所述栅线和所述数据线横纵交叉构成多个呈矩阵形式排列的像素单元，并且形成第一电极图案和/或第二电极图案，其中，各栅线通过所述第一电极图案相互电连接，各数据线通过所述第二电极图案相互电连接；

刻蚀所述第一电极图案和/或第二电极图案，以使得各栅线以及各数据线之间彼此电绝缘。

进一步地，在形成有所述第一电极图案的情况下，所述栅线、所述第一电极图案以及公共电极线的图案采用相同材料，通过一次构图工艺同层形成。

进一步地，在形成所述栅线、所述第一电极图案以及所述公共电极线的图案之后，所述方法还包括：

在基板上逐层形成栅绝缘层、接触层以及树脂层；

在任意两条栅线之间与所述第一电极图案对应的位置，贯通所述栅缘层、接触层以及树脂层形成过孔以露出所述第一电极图案，通过所述过孔对所述第一电极图案进行刻蚀。

其中，在刻蚀掉位于任意两条栅线之间的所述第一电极图案之后，所述方法还包括：

在基板上形成钝化层。

需要说明的是，在形成有所述第二电极图案的情况下，所述数据线与所述第二电极图案采用相同材料，通过一次构图工艺同层形成。

此外，所述第一电极图案和/或所述第二电极图案位于所述阵列基板的非显示区域；

其中，所述阵列基板的显示区域包括像素单元。

本发明另一实施例还提供一种根据如上项所述的阵列基板制造方法制造的阵列基板。

本发明又一实施例还提供有一种显示设备，所述显示设备包括如上所述的阵列基板。