[发明专利]多层电子元件及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年11月7日提交韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2013-0135018的优先权，其公开的内容在此作为参考引入到本申请。

技术领域

本发明涉及一种多层电子元件及其制造方法，更具体地，涉及一种设置在信息技术（IT）装置等中以消除噪音的多层电子元件及其制造方法。

背景技术

电子元件中的磁珠（bead）、具有电阻特性和电感特性的元件在高频段中具有高阻特性以从高频元件中吸收能量并将吸收的能量转变为热量。一般地，由于噪音元件具有比信号频率更高的频率，磁珠仅在穿过低频信号元件的同时消除噪音元件。

对于多层片式磁珠，内部导体利用导电胶等形成在主要由磁性材料形成的磁片上，并且堆叠以在磁性烧结体中形成线圈，由此实现电阻抗。

近来，由于电子设备的频率扩大并变得相对较宽，需要对高频段中相对较宽的频段进行噪音消除以处理电磁干涉（EMI）的问题。

因此，为了消除高频段中的噪音，设计了线圈结构以减少寄生电容和将共振频率提高几百MHz至1GHz。然而，在这种情况下，消除长期演进（LTE）频段中700MHz到2.7GHz范围内的频率噪音具有局限性。

此外，当增加高频段中的电阻元件以消除高频段中的噪音时，低频段中的直流（DC）电阻增加并且全部频段中的电阻增加。因此，需要一种片式组件，该片式组件在高频段中能够具有高阻抗并且允许在消除宽频段的高频中的噪音的同时保持低频段中的低阻抗。

下述相关技术文件公开了一种具有用于减少直流电阻的结构的多层磁珠。

[相关技术文件]

韩国专利公开号：2013-0044603

发明内容

本发明公开的一个方面可以提供一种多层电子元件及其制造方法，该多层电子元件允许通过在高频中获得高阻抗而将噪音从宽频频段中有效地消除。

根据本发明公开的一个方面，多层电子元件可以包括：磁体，该磁体包括通过堆叠多个第一磁性层形成的第一堆叠体和通过堆叠多个第二磁性层形成的第二堆叠体；以及内部线圈，该内部线圈形成在所述磁体中，其中，所述第二磁性层具有比所述第一磁性层更高的磁导率。

所述磁体还可以包括第三堆叠体，该第三堆叠体通过多个第三磁性层堆叠形成，其中，所述第三磁性层具有比所述第二磁性层更大的磁导率。

所述内部线圈可以通过形成在所述第一磁性层和所述第二磁性层上的多个内部导体图案彼此电连接而形成。

所述内部线圈可以通过形成在所述第一磁性层至所述第三磁性层上的多个内部导体图案彼此电连接而形成。

所述内部线圈可以在相对于所述磁体的基板安装表面相垂直的方向上形成。

所述内部线圈的中心轴线可形成为平行于所述第一堆叠体和所述第二堆叠体堆叠的方向。

所述第一堆叠层可具有10H/m到30H/m的磁导率。

所述第二堆叠层可具有80H/m到120H/m的磁导率。

所述第三堆叠层可具有180H/m到220H/m的磁导率。

根据本发明公开的另一个方面，多层电子元件可包括：磁体，该磁体通过堆叠多个磁性层形成；以及内部线圈，该内部线圈形成在所述磁体中，其中，所述磁体包括具有不同磁导率等级的至少两个堆叠体。

所述内部线圈可通过形成在各自具有不同磁导率等级的磁性层上的多个内部导体图案彼此电连接而形成。

所述内部线圈可在相对于所述磁体的基板安装表面相垂直的方向上形成。

所述内部线圈的中心轴线可形成为平行于具有不同磁导率等级的所述堆叠体堆叠的方向。

根据本发明公开的另一个方面，多层电子元件的制造方法可包括：制备多个第一磁片和多个第二磁片，该第二磁片具有比所述第一磁片更大的磁导率；在所述第一磁片和所述第二磁片上形成内部导体图案；以及堆叠形成有所述内部导体图案的所述第一磁片和所述第二磁片，以形成包括第一堆叠体和第二堆叠体的磁体。

所述方法还可包括：堆叠具有比所述第二磁片更大的磁导率的第三磁片，以形成包括第三堆叠体的磁体。

所述方法还可包括：在所述第一磁片和所述第二磁片中形成通道电极（via electrode），以使形成在所述第一磁片和所述第二磁片上的所述内部导体图案彼此电连接。

所述第一磁片和所述第二磁片可堆叠以便于所述第一磁片的堆叠表面和所述第二磁片的堆叠表面相对于所述磁体的基板安装表面垂直。

附图说明