[发明专利]多层电子元件及其制造方法

权利要求书

1.一种多层电子元件，该多层电子元件包括：

磁体，该磁体包括通过堆叠多个第一磁性层形成的第一堆叠体和通过堆叠多个第二磁性层形成的第二堆叠体；以及

内部线圈，该内部线圈形成在所述磁体中，

其中，所述第二磁性层具有比所述第一磁性层更高的磁导率。

2.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述磁体还包括第三堆叠体，该第三堆叠体通过堆叠多个第三磁性层形成，所述第三磁性层具有比所述第二磁性层更大的磁导率。

3.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述内部线圈通过形成在所述第一磁性层和所述第二磁性层上的多个内部导体图案彼此电连接而形成。

4.根据权利要求2所述的多层电子元件，其中，所述内部线圈通过形成在所述第一磁性层至所述第三磁性层上的多个内部导体图案彼此电连接而形成。

5.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述内部线圈在相对于所述磁体的基板安装表面相垂直的方向上形成。

6.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述内部线圈的中心轴线形成为平行于所述第一堆叠体和所述第二堆叠体堆叠的方向。

7.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述第一堆叠层具有10H/m到30H/m的磁导率。

8.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述第二堆叠层具有80H/m到120H/m的磁导率。

9.根据权利要求2所述的多层电子元件，其中，所述第三堆叠层具有180H/m到220H/m的磁导率。

10.一种多层电子元件，该多层电子元件包括：

磁体，该磁体通过堆叠多个磁性层形成；以及

内部线圈，该内部线圈形成在所述磁体中，

其中，所述磁体包括具有不同磁导率等级的至少两个堆叠体。

11.根据权利要求10所述的多层电子元件，其中，所述内部线圈通过形成在各自彼此具有不同磁导率等级的多个磁性层上的内部导体图案彼此电连接而形成。

12.根据权利要求10所述的多层电子元件，其中，所述内部线圈在相对于所述磁体的基板安装表面相垂直的方向上形成。

13.根据权利要求10所述的多层电子元件，其中，所述内部线圈的中心轴线形成为平行于具有不同磁导率等级的所述堆叠体堆叠的方向。

14.一种多层电子元件的制造方法，包括：

制备多个第一磁片和具有比所述第一磁片更大的磁导率的多个第二磁片；

在所述第一磁片和所述第二磁片上形成内部导体图案；以及

堆叠形成有所述内部导体图案的所述第一磁片和所述第二磁片，以形成包括第一堆叠体和第二堆叠体的磁体。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述制造方法还包括：堆叠具有比所述第二磁片更大的磁导率的第三磁片，以形成包括第三堆叠体的磁体。

16.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述制造方法还包括：在所述第一磁片和所述第二磁片中形成通道电极，以使形成在所述第一磁片和所述第二磁片上的所述内部导体图案彼此电连接。

17.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述第一磁片和所述第二磁片堆叠以便于所述第一磁片的堆叠表面和所述第二磁片的堆叠表面相对于所述磁体的基板安装表面垂直。