[发明专利]一种金属碳化物镀层的制备方法有效
申请号: | 201410047789.6 | 申请日: | 2014-02-12 |
公开(公告)号: | CN103820761A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 赵树辉 | 申请(专利权)人: | 西安金唐材料应用科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 碳化物 镀层 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种金属碳化物镀层的制备技术,属于材料表面工程技术领域。
背景技术
金属碳化物是指钨、钛、钽、钼、锆、铪、钒、铌、铬等金属元素与碳形成的化合物。常用的金属碳化物镀层有碳化钛、碳化铬、碳化钨等,金属碳化物镀层是一种高熔点、高硬度、耐磨性、耐热性和耐蚀性都很好的镀层材料。它具有较高的抗机械摩擦和抗磨料磨损性能,导热性优良、化学稳定性优异,它的膨胀系数和硬质合金相近,因而与基体结合牢固,适于作硬质合金刀片的镀层。
在各种工模具镀层材料中,金属碳化物镀层因具有较好的综合性能,且硬度比相应的氮化物更高而成为主要选择之一。目前已被广泛应用,例如,采用等离子体辅助化学气相沉积法在490℃下,以TiCl4/CH4/H2/Ar混合气体作为气源,在高速钢表面沉积的TiC镀层,采用真空阴极电弧离子镀技术,输入控制正压二次降压的C2H2+C3H8+Ar混合气来获得CrC镀层。
目前,制备金属碳化物镀层的方法很多,比如:中、高温化学气相沉积,等离子增强化学气相沉积,多弧离子镀,离子束辅助沉积,脉冲高能量密度等离子体沉积,磁控溅射离子镀等。这些制备方法中的碳源大多为气体甲烷(CH4)、乙炔(C2H2)、乙腈(CH3CN)或它们的气体混合物。即通过质量流量计来控制所制备金属碳化物镀层中的碳含量,由于用该方法制备的碳化物镀层存在碳含量不能精确控制,镀层具有高残余应力,以及镀层成分不稳定等问题,导致了所制备的金属碳化物镀层存在摩擦系数偏高(摩擦系数均大于0.6)而降低镀层使用性能的缺点。而这些问题的解决,即在保证不降低镀层硬度的前提下降低镀层的摩擦系数,将可以大幅度提高金属碳化物镀层的综合力学性能,延长其所涂镀的刀具、钻头、模具等产品的使用寿命。
发明内容
本发明的目的在于提供一种金属碳化物镀层的制备方法。本发明采用石墨靶材为镀层中碳的来源制备金属碳化物镀层,厚度均匀,具有高硬度和低摩擦系数等性能,且镀层中碳的含量可精确控制。
我们知道,石墨也是碳存在的一种固体形式,可以做成磁控溅射设备的靶材,这样就可以通过控制石墨靶材电流来调整碳的溅射速率,同时石墨材料还具有极低的摩擦系数,如果所制备镀层中含有少量石墨单质,这无疑会对所制备镀层的摩擦系数会有降低作用,因此本发明所提出的利用磁控溅射制备技术、采用石墨为靶材,通过工艺调整,保证镀层中含有微量石墨单质,这无疑可获得高硬度和低摩擦系数的金属碳化物镀层。
本发明提供的金属碳化物镀层的制备方法,具体制备过程如下:
步骤1、将试样清洗干燥后放入多靶磁控溅射设备的真空室中,并将真空室抽真空到:(3-5)×10-5 Pa;
步骤2、通入氩气,流量为15-22 sccm,同时开启纯金属靶和石墨靶,金属靶电流为1-3 A,石墨靶电流为3-5 A;时间为0.5~2.0 h;镀膜完成后,充气,取出试样。
本发明中的纯金属靶材的材料可以是钛、铬、钨等金属,相应得到的金属碳化物分别为碳化钛、碳化铬、碳化钨。
本发明提供的金属碳化物镀层的制备方法,可以通过控制石墨靶材的电流来控制石墨的溅射率,进而可以精确控制所制备金属碳化物镀层中碳元素的含量。
本发明提供的金属碳化物镀层的制备方法,分别通过调整金属靶材和石墨靶材的电流来控制其溅射率,并保持石墨靶材的溅射率略高于金属靶材的溅射率,以保证最终获得的镀层中主要成分为金属碳化物和少量的石墨单质。
本发明提供的金属碳化物镀层的制备方法所制备镀层中金属碳化物的体积百分含量大于95%,石墨单质的体积百分含量小于5%。
本发明所制备的金属碳化物镀层厚度为2μm~5μm,硬度为2000 HV~2800HV;摩擦系数为0.2~0.3。可作为硬质减摩镀层沉积于精密工具、模具、刀具等表面后延长其使用寿命。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安金唐材料应用科技有限公司,未经西安金唐材料应用科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410047789.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:与金属底盘集成的天线
- 下一篇:微波低波段高选择性空腔介质滤波器及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类