[发明专利]半导体发光器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于2013年2月8日提交的日本专利申请第2013-023653号并且要求其优先的利益，该申请的全部内容通过引用的方式包含在此。

技术领域

这里描述的实施方式一般涉及半导体发光器件。

背景技术

在诸如LED(发光二极管)等半导体发光器件的一个结构中，例如，晶体层被形成在生长基板上并且与导电基板接合，其后移除生长基板。在这样的结构中，在通过移除生长基板而露出的晶体层的表面中产生凹凸，从而可以提高光提取效率。此外，存在一种结构，其中，在移除了基板的表面的相反侧的晶体表面上，形成p侧电极和n侧电极，并且在用作光提取表面的晶体层的表面处不形成电极。在这样的半导体发光器件中，希望进一步提高发光效率。

发明内容

本发明的实施方式是为了解决以上的问题而提出的。

根据一个实施方式，半导体发光器件包括：第一金属层、第二金属层、第三金属层、半导体发光单元和绝缘单元。半导体发光单元在第一方向上与第一金属层分离。第二金属层被设置在第一金属层和半导体发光单元之间以电连接至第一金属层，该第二金属层是反光的。第二金属层包含与半导体发光单元接触的接触金属部分、以及当被投影到与所述第一方向正交的平面上时被设置成围绕接触金属部分的外周金属部分，该外周金属部分具有与半导体发光单元分离的外缘部分。第三金属层是反光的。第三金属层包含：被设置在半导体发光单元和外缘部分之间的内部分、当被投影到所述平面上时与半导体发光单元重叠并且与外缘部分不重叠的中间部分、以及当被投影到所述平面上时在半导体发光单元的外侧的外部分。绝缘单元包含：被设置在中间部分和半导体发光单元之间以及在内部分和半导体发光单元之间的第一绝缘部分、被设置在内部分和第一金属层之间以及在外部分和第一金属层之间的第二绝缘部分、以及与第一绝缘部分和第二绝缘部分连续的第三绝缘部分。

附图说明

图1A和图1B是示出了根据第一实施方式的半导体发光器件的示意图；

图2是示出了第一参考例的半导体发光器件的示意性剖面图；

图3A和图3B是示出了第二参考例的半导体发光器件的示意性剖面图；

图4A和图4B是示出了第三参考例的半导体发光器件的示意性剖面图；

图5是示出了第四参考例的半导体发光器件的示意性剖面图；

图6A和图6B是示出了根据第一实施方式的另一半导体发光器件的示意性剖面图；

图7A和图7B是示出了根据第一实施方式的另一半导体发光器件的示意图；

图8是示出了根据第一实施方式的另一半导体发光器件的示意性剖面图；

图9是示出了根据第二实施方式的半导体发光器件的示意性剖面图；

图10是示出了根据第二实施方式的另一半导体发光器件的示意性剖面图；以及

图11是示出了根据第二实施方式的另一半导体发光器件的示意性剖面图。

具体实施方式

根据一个实施方式，半导体发光器件包括：第一金属层、第二金属层、第三金属层、半导体发光单元和绝缘单元。半导体发光单元在第一方向上与第一金属层分离。第二金属层被设置在第一金属层和半导体发光单元之间以电连接至第一金属层，该第二金属层是反光的。第二金属层包含与半导体发光单元接触的接触金属部分、以及当被投影到与所述第一方向正交的平面上时被设置成围绕接触金属部分的外周金属部分，该外周金属部分具有与半导体发光单元分离的外缘部分。第三金属层是反光的。第三金属层包含：被设置在半导体发光单元和外缘部分之间的内部分、当被投影到所述平面上时与半导体发光单元重叠并且与外缘部分不重叠的中间部分、以及当被投影到所述平面上时在半导体发光单元的外侧的外部分。绝缘单元包含：被设置在中间部分和半导体发光单元之间以及在内部分和半导体发光单元之间的第一绝缘部分、被设置在内部分和第一金属层之间以及在外部分和第一金属层之间的第二绝缘部分、以及与第一绝缘部分和第二绝缘部分连续的第三绝缘部分。