[发明专利]扇出型方片级封装的制作方法有效

专利信息
申请号: 201410045787.3 申请日: 2014-02-08
公开(公告)号: CN103745936A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 陈峰;耿菲 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 殷红梅
地址: 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 扇出型方片级 封装 制作方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及芯片封装方法,尤其是一种扇出型方片级封装的制作方法。

背景技术

随着电子产品多功能化和小型化的潮流,高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展,尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展,芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。扇出型方片级封装技术(Fanout Panel Level Package,FOPLP)的出现,作为扇出型晶圆级封装技术(Fanout Wafer Level Package,FOWLP)的升级技术,拥有更广阔的发展前景。

日本J-Devices公司在US20110309503A1专利中,给出了一种扇出型晶圆级封装的制作方法,如图1所示。J-Devices公司的专利主要工艺如下:

第一步:使用粘结剂以一定间隔在基板上形成粘结层;

第二步:在粘结胶上贴放芯片;

第三步:涂覆第一绝缘树脂,并在树脂上开出窗口,露出芯片上的焊盘;

第四步:通过图形电镀与光刻的方法,制作重布线层(Redistribution Layer,RDL),将芯片上的焊盘引出;

第五步:制作第二绝缘层,并做开口露出重布线层的金属;

第六步:在第二绝缘层上面制作焊球或凸点。

该技术的不足之处在于,工艺的第三步中涂覆第一绝缘树脂,由于通常芯片厚度在50微米以上,所以涂覆绝缘树脂的厚度不易控制,不利于精细线路的制作。而且个别树脂(如PBO)价格较高,不利于成本控制。

发明内容

本发明的目的在于提供一种扇出型方片级封装的制作方法,能够降低制造成本,以及在工艺过程中降低制造难度和提高涂覆树脂的表面均匀性。本发明采用的技术方案是,一种扇出型方片级封装的制作方法,包括下述步骤:

第一步,提供承载片,在承载片上贴覆粘结胶;

第二步,将芯片正贴到粘结胶上;

第三步,在承载片上贴有芯片的那一面上涂覆第二类感光树脂,第二类感光树脂包括阻焊油墨、感光绿漆、干膜或感光型增层材料,第二类感光树脂将芯片覆盖;

第四步,加热第二类感光树脂使其预固化,然后去除芯片正面的有效图形区域以外的第二类感光树脂,露出芯片的有效图形区域,使得芯片焊盘暴露在外;

第五步,在承载片上贴有芯片的那一面上涂覆第一类感光树脂,第一类感光树脂包括BCB、PBO、PSPI、聚酰亚胺或陶氏化学公司的Intervia材料等用于半导体和芯片封装行业的高解析度感光树脂;第一类感光树脂将芯片暴露出的有效图形区域覆盖;

第六步,在第一类感光树脂中形成通向芯片焊盘的导通孔;

第七步,在导通孔中和第一类感光树脂上沉积一层种子层;在种子层上涂覆光刻胶,然后使得光刻胶上显露出用于制作电镀线路的图形,使用电镀的方法,在显露出的图形区域中形成电连接芯片焊盘的电镀线路;

第八步,去除光刻胶和光刻胶底部的种子层,保留电镀线路底部的种子层;在承载片上再次涂覆一层第二类感光树脂,使得上层的第二类感光树脂覆盖电镀线路;

然后在上层的第二类感光树脂上显露出电镀线路上的金属焊盘;

第九步,在金属焊盘上形成焊球。

进一步地,所述第一步中,承载片为矩形,材料为玻璃、金属板或有机基板。

进一步地,所述第三步中,涂覆第二类感光树脂的工艺包括旋涂、喷涂、滚涂、丝网印刷、狭缝涂覆、喷墨打印、滚压或真空压合。

进一步地,所述第四步中,具体在曝光机中通过对位曝光工艺,使第二类感光树脂发生反应,使用显影液将芯片正面的有效图形区域以外的第二类感光树脂去除。

进一步地,所述第五步中,涂覆第一类感光树脂的工艺包括旋涂、喷涂、滚涂、丝网印刷、狭缝涂覆、喷墨打印、滚压或真空压合。

进一步地,所述第七步中,通过溅射金属或化学沉铜工艺,在导通孔中和第一类感光树脂上沉积种子层。

进一步地,所述第九步中,通过植球、印刷、电镀或化学镀工艺形成焊球。

本发明的优点在于:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410045787.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top