[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201410045315.8 | 申请日: | 2014-02-07 |
公开(公告)号: | CN103972277B | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 山口义弘 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L29/41 | 分类号: | H01L29/41;H01L21/28;H01L21/60 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 何立波,张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其具有:
板状的电极部件;
在所述电极部件上设置的一体化绝缘片;以及
在所述一体化绝缘片上设置的控制基板,
该半导体装置的特征在于,具有使所述电极部件和所述控制基板通过所述一体化绝缘片形成为一体的基板一体型电极,
所述基板一体型电极被用作与半导体元件电连接的电极。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述控制基板在其两个表面上具有电路图案,
该半导体装置还具有上表面阻绝层,该上表面阻绝层设置在所述控制基板上表面,对所述电路图案进行覆盖。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
该半导体装置还具有下表面阻绝层,该下表面阻绝层设置在与设有所述上表面阻绝层的位置对应的所述电极部件下表面。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述一体化绝缘片在其表面或内部具有板状或网格状的金属屏蔽层。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
该半导体装置还具有半导体元件,该半导体元件与所述基板一体型电极电连接。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
所述基板一体型电极与所述半导体元件接合,在该接合的部分的周边形成有开口部。
7.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
所述基板一体型电极与所述半导体元件接合,在该接合的接合部处朝向所述半导体元件侧形成有凸形状。
8.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
所述基板一体型电极与所述半导体元件的阴极侧电连接。
9.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具有:
(a)在板状的电极部件上设置一体化绝缘片的工序;
(b)在所述一体化绝缘片上设置控制基板,将所述电极部件和所述控制基板经由所述一体化绝缘片形成为一体的工序;以及
(c)将在所述工序(b)中形成为一体而得到的基板一体型电极与半导体元件电连接的工序。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
该半导体装置的制造方法还具有,(d)在所述工序(c)之前,在所述基板一体型电极的与所述半导体元件接合的周边形成开口部的工序。
11.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
该半导体装置的制造方法还具有,(e)在所述工序(c)之前,在所述基板一体型电极的与所述半导体元件接合的接合部处朝向所述半导体元件侧形成凸形状的工序。
12.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
该半导体装置的制造方法还具有:
(f)在所述工序(c)之前,在所述控制基板的两个表面上设置电路图案的工序;以及
(g)在所述控制基板上表面设置对所述电路图案进行覆盖的上表面阻绝层的工序。
13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
该半导体装置的制造方法还具有,(h)在与所述工序(g)中设置的所述上表面阻绝层的位置对应的所述电极部件下表面,设置下表面阻绝层的工序。
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