[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410045315.8 申请日: 2014-02-07
公开(公告)号: CN103972277B 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 山口义弘 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L29/41 分类号: H01L29/41;H01L21/28;H01L21/60
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 何立波,张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其具有:

板状的电极部件;

在所述电极部件上设置的一体化绝缘片;以及

在所述一体化绝缘片上设置的控制基板,

该半导体装置的特征在于,具有使所述电极部件和所述控制基板通过所述一体化绝缘片形成为一体的基板一体型电极,

所述基板一体型电极被用作与半导体元件电连接的电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述控制基板在其两个表面上具有电路图案,

该半导体装置还具有上表面阻绝层,该上表面阻绝层设置在所述控制基板上表面,对所述电路图案进行覆盖。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

该半导体装置还具有下表面阻绝层,该下表面阻绝层设置在与设有所述上表面阻绝层的位置对应的所述电极部件下表面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述一体化绝缘片在其表面或内部具有板状或网格状的金属屏蔽层。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

该半导体装置还具有半导体元件,该半导体元件与所述基板一体型电极电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

所述基板一体型电极与所述半导体元件接合,在该接合的部分的周边形成有开口部。

7.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

所述基板一体型电极与所述半导体元件接合,在该接合的接合部处朝向所述半导体元件侧形成有凸形状。

8.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

所述基板一体型电极与所述半导体元件的阴极侧电连接。

9.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具有:

(a)在板状的电极部件上设置一体化绝缘片的工序;

(b)在所述一体化绝缘片上设置控制基板,将所述电极部件和所述控制基板经由所述一体化绝缘片形成为一体的工序;以及

(c)将在所述工序(b)中形成为一体而得到的基板一体型电极与半导体元件电连接的工序。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

该半导体装置的制造方法还具有,(d)在所述工序(c)之前,在所述基板一体型电极的与所述半导体元件接合的周边形成开口部的工序。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

该半导体装置的制造方法还具有,(e)在所述工序(c)之前,在所述基板一体型电极的与所述半导体元件接合的接合部处朝向所述半导体元件侧形成凸形状的工序。

12.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

该半导体装置的制造方法还具有:

(f)在所述工序(c)之前,在所述控制基板的两个表面上设置电路图案的工序;以及

(g)在所述控制基板上表面设置对所述电路图案进行覆盖的上表面阻绝层的工序。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

该半导体装置的制造方法还具有,(h)在与所述工序(g)中设置的所述上表面阻绝层的位置对应的所述电极部件下表面,设置下表面阻绝层的工序。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410045315.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top