[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410045162.7 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103972215B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈俊良;张添昌;林建志 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司11111 | 代理人： | 张金芝,杨颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
金属垫，位于该半导体装置的第一金属层之内；以及
第一特定金属层布线，形成于该半导体装置的第二金属层之内，且直接位于该金属垫之下，其中，该第一特定金属层布线具有规则图案，该规则图案的金属密度为30％至70％。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该金属垫的厚度小于
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该金属垫的材质为铝。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一特定金属层布线包括多个第一电源线路。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括多个氧化区位于该多个第一电源线路之间，且该多个氧化区中的每一个的宽度大于2微米。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一特定金属层布线包括多个第一接地线路。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括多个氧化区位于该多个第一接地线路之间，且该多个氧化区中的每一个的宽度大于2微米。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一特定金属层布线包括多个第一输入/输出布线线路。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括多个氧化区位于该多个第一输入/输出布线线路之间，且该多个氧化区中的每一个的宽度大于2微米。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
第二特定金属层布线，形成于该半导体装置的该第二金属层之内，并连接至该第一特定金属层布线，其中该第二特定金属层布线不直接位于该金属垫下；该第二特定金属层布线包括第二电源线路与第二接地线路。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，该第二特定金属层布线包括多个第二输入/输出布线线路。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置为芯片。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一金属层与该第二金属层为该半导体装置中相邻的金属层。
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