[发明专利]复合模式腔体滤波器

权利要求书

1.一种复合模式腔体滤波器，其特征在于，包括：

至少一个第一腔体，其用于容纳金属同轴共振器；以及

至少一个第二腔体，其用于容纳电介质共振器，

其中，形成于所述第一腔体与所述第二腔体间的隔离壁上形成第一耦合窗，所述第一耦合窗包括平行于底面的水平窗及垂直于所述底面的垂直窗，所述水平窗及垂直窗的至少一部分区域相互重叠。

2.根据权利要求1所述的复合模式腔体滤波器，其特征在于：

所述第一耦合窗的形状为“L”字形、“T”字形或者是“T”字形中长轴偏向于两侧中某一侧的形状。

3.根据权利要求1所述的复合模式腔体滤波器，其特征在于：

容纳所述金属同轴共振器的第一腔体间的隔离壁或容纳所述电介质共振器的第二腔体间的隔离壁上形成第二耦合窗，所述第二耦合窗具有平行于所述底面的水平结构。

4.根据权利要求1所述的复合模式腔体滤波器，其特征在于：

所述第一耦合窗的所述水平窗形成于所述第一腔体与所述第二腔体间隔离壁的上部。

5.根据权利要求1所述的复合模式腔体滤波器，其特征在于：

用于所述第一腔体与所述第二腔体间的交叉耦合的隔离壁上形成第三耦合窗，所述第三耦合窗包括平行于底面的水平窗及垂直于所述底面的垂直窗，所述水平窗及垂直窗的至少一部分区域相互重叠。

6.根据权利要求5所述的复合模式腔体滤波器，其特征在于：

通过所述水平窗及所述垂直窗的重叠位置，调节交叉耦合的传输零点的位置。

7.一种复合模式腔体滤波器，其特征在于，包括：

至少一个第一腔体，其用于容纳金属同轴共振器；以及

至少一个第二腔体，其用于容纳双重模式电介质共振器，

其中，当所述第一腔体与所述第二腔体间耦合的磁场垂直相交时，所述第一腔体与所述第二腔体间的隔离壁上形成第一耦合窗，所述第一耦合窗包括平行于底面的水平窗及垂直于所述底面的垂直窗，所述水平窗及垂直窗的至少一部分区域相互重叠。

8.根据权利要求7所述的复合模式腔体滤波器，其特征在于：

当所述第一腔体与所述第二腔体间耦合的磁场相互平行时，所述第一腔体与所述第二腔体间的隔离壁上形成第二耦合窗，所述第二耦合窗具有平行于所述底面的水平结构。

9.根据权利要求7所述的复合模式腔体滤波器，其特征在于：

所述第一耦合窗的形状为“L”字形、“T”字形或者是“T”字形中长轴偏向于两侧中某一侧的形状。

10.根据权利要求7所述的复合模式腔体滤波器，其特征在于：

所述第一耦合窗的水平窗形成于所述第一腔体与所述第二腔体间隔离壁的上部。

11.根据权利要求7所述的复合模式腔体滤波器，其特征在于：

所述第二腔体上形成摄动结构，其用于双重模式间的耦合。