[发明专利]显示装置、显示装置的制造方法和电子装置有效
申请号: | 201410043330.9 | 申请日: | 2014-01-29 |
公开(公告)号: | CN103972265A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 青柳健一;藤井宣年 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 电子 装置 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年2月5日提交的日本在先专利申请JP2013-020655的权益,其全部内容通过引用结合于本文中。
技术领域
本发明涉及显示装置、显示装置的制造方法和电子装置。本发明具体涉及一种包括发光元件的显示装置。
背景技术
在包括采用(例如)有机电致发光(EL)、无机EL等的发光元件的顶部发光型显示装置中,设置有上面设置有发光元件的元件基板和面向元件基板的密封基板,并且从发光元件发出的光穿过将被观看的透明密封基板。例如,在发光元件发出白光的情况下,从每个发光元件发出的光穿过为将被观看的密封基板设置的彩色滤光片,从而作为具有每个像素的颜色的光。进一步,在发光元件发出具有各个像素的颜色(例如,红色、绿色和蓝色)的光的情况下,彩色滤光片可用于提高色纯度。
为了提高对比度,在与各个像素区域之间的界限对应的位置上设置上述密封基板(还被称为滤色基板)和遮光件(称为黑矩阵)。例如,JP2010-008861A公开了一种关于黑矩阵的技术。根据JP2010-008861A中的技术,为了抑制在彩色滤光片的透射区域与黑矩阵区域之间的边界上发生光衍射,透射区域具有光密度梯度。
发明内容
一种钛等材质的金属薄膜常用于黑矩阵,该金属薄膜具有优越的遮光特性和较高光反射系数。由此,存在这样的情况:即,从发光元件发出的光被黑矩阵的表面反射,从而返回到元件基板侧,并进一步被薄膜之间的布线或界面反射,从而导致光混入到与对应于发光元件的像素不同的另一个像素的区域内。
因此,根据本发明,提出了新颖的改进的并且能够有效防止发出的光在像素区域中的边界部分上反射的显示装置、显示装置制造方法和电子装置。
根据本发明的一个实施方式,提供了一种显示装置,包括:第一基板上的多个发光元件;以及防反射件,用于防止来自第一基板侧的光在与每个发光元件对应的像素区域内的界限部分反射,所述防反射件位于第二基板侧上,第二基板朝向第一基板。
根据本发明的另一个实施方式,提供了一种显示装置制造方法,所述方法包括:在第二基板侧设置防反射件,其中,第二基板朝向第一基板,防反射件用于防止来自第一基板侧的光在与第一基板上的每个发光元件对应的像素区域内的界限部分反射;并且,将第二基板与设有多个发光元件的第一基板粘合在一起。
根据本发明的另一个实施方式,提供了一种包括显示装置的电子装置,显示装置包括:第一基板上的多个发光元件;以及,防反射件,用于防止来自第一基板侧的光在与每个发光元件对应的像素区域内的界限部分反射,所述防反射件位于第二基板侧上,第二基板朝向第一基板。
通过将防反射件布置在像素区域中的界限部分上,可防止在该部分上发生发出的光被反射。因此,可防止发出的光混入另一个像素的区域内。
如上所述,根据本发明的一个或多个实施方式,可有效防止在像素区域中的界限部分上发生发出的光被反射。
附图说明
图1示出了根据本发明的相关技术的显示装置的结构的示例;
图2示出了有机EL显示器中设置的像素驱动电路的配置的示例;
图3示出了有机EL显示器中的显示区域的平面结构的示例;
图4示出了沿图3的I-I截取的显示区域的断面结构的示例;
图5示出了根据本发明第一实施方式的显示装置中的显示区域的断面结构的示例;
图6示出了根据本发明第一实施方式的显示装置制造方法的步骤中显示装置的状态;
图7为根据本发明第一实施方式的电子装置的配置的示意框图;
图8示出了根据本发明第二实施方式的显示装置中的显示区域的断面结构的示例;
图9示出了根据本发明第二实施方式的显示装置制造方法的步骤中显示装置的状态;
图10示出了根据本发明第三实施方式的显示装置中的显示区域的断面结构的示例;
图11示出了根据本发明第三实施方式的显示装置制造方法的步骤中的显示装置的状态;
图12示出了根据本发明第四实施方式的显示装置中的显示区域的断面结构的示例;
图13示出了根据本发明第四实施方式的显示装置制造方法的步骤中的显示装置的状态;
图14A示出了蛾眼结构制造方法的第一示例;
图14B示出了蛾眼结构制造方法的第一示例;
图15A示出了蛾眼结构制造方法的第二示例;
图15B示出了蛾眼结构制造方法的第二示例;
图15C示出了蛾眼结构制造方法的第二示例;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的