[发明专利]显示装置、显示装置的制造方法和电子装置有效
申请号: | 201410043330.9 | 申请日: | 2014-01-29 |
公开(公告)号: | CN103972265A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 青柳健一;藤井宣年 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一基板上的多个发光元件;以及
防反射件,被配置为防止来自第一基板侧的光在与每个所述发光元件对应的像素区域内的边界部分反射,所述防反射件位于第二基板面向所述第一基板的第二基板侧。
2.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
彩色滤光片,设置于所述第二基板上的所述像素区域内,
其中,所述防反射件设置于所述彩色滤光片与所述第二基板之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述防反射件的防反射目标波长根据透过所述彩色滤光片的光的波长来设定,其中所述彩色滤光片设置在所述防反射件两侧的像素区域内。
4.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
彩色滤光片,设置于所述第二基板上的像素区域内,
其中,所述防反射件设置于所述彩色滤光片在所述第一基板侧的表面上。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述防反射件的防反射目标波长根据从与所述防反射件两侧的像素区域对应的发光元件发出的光的波长来设定。
6.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
黑矩阵,设置于所述像素区域内的界限部分上,
其中,所述防反射件沿着所述黑矩阵在所述第一基板侧的表面设置。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述防反射件为防反射涂层。
8.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
黑矩阵,设置于所述像素区域内的界限部分上,所述黑矩阵被配置为通过对所述黑矩阵在所述第一基板侧上的表面进行处理而还具有防反射件的功能。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述防反射件在所述第一基板侧的表面上形成有蛾眼结构。
10.一种用于制造显示装置的方法,所述方法包括:
在第二基板面向第一基板的第二基板侧上设置防反射件,所述防反射件被配置为防止来自所述第一基板侧的光在与所述第一基板上的多个发光元件中的每一个对应的像素区域内的界限部分反射;并且
将所述第二基板与设置有所述多个发光元件的所述第一基板结合。
11.根据权利要求10所述的用于制造显示装置的方法,所述方法进一步包括:
在所述第二基板上的所述像素区域内设置彩色滤光片,
其中,设置所述防反射件的步骤在设置所述彩色滤光片的步骤之前进行。
12.根据权利要求10所述的用于制造显示装置的方法,所述方法进一步包括:
在所述第二基板上的所述像素区域内设置彩色滤光片,
其中,设置所述防反射件的步骤在设置所述彩色滤光片的步骤之后进行。
13.根据权利要求10所述的用于制造显示装置的方法,所述方法进一步包括:
在所述像素区域内的界限部分上设置黑矩阵,
其中,沿所述黑矩阵在所述第一基板侧的表面设置所述防反射件。
14.根据权利要求10所述的用于制造显示装置的方法,其中,设置所述防反射件的步骤包括
在所述像素区域内的界限部分上设置黑矩阵,并且
通过对所述黑矩阵在所述第一基板侧的表面进行处理而形成防反射结构。
15.根据权利要求10所述的用于制造显示装置的方法,所述方法进一步包括:
在所述防反射件在第一基板侧的表面上形成蛾眼结构。
16.根据权利要求15所述的用于制造显示装置的方法,其中,形成所述蛾眼结构的步骤包括
在所述防反射件的表面上形成散布有微粒的树脂薄膜,
通过用所述树脂薄膜中的微粒作为掩模对树脂薄膜进行蚀刻,并逐渐对所述微粒进行蚀刻而在所述树脂薄膜上形成微突起虚设图案,并且
对形成有所述微突起虚设图案的树脂薄膜和所述防反射件的表面进行回蚀刻,以将形成于所述树脂薄膜的表面上的所述微突起虚设图案的表面形状转印到所述防反射件的表面上,从而在所述防反射件的表面上形成所述微突起虚设图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的