[发明专利]用于接置半导体装置的层结构及其制法

权利要求书

1.一种用于接置半导体装置的层结构，其包括：

第一胶体，其具有第一底面；

多个第一导电组件，其嵌埋于该第一胶体内，且其均具有外露于该第一胶体的第一底面的第一端部；

线路层，其具有相对的第一表面与第二表面，并形成于该些第一导电组件的第一端部上；

多个第二导电组件，其形成于该线路层的第二表面上，并经由该线路层电性连接该些第一导电组件；以及

第二胶体，其形成于该第一胶体的第一底面上以包覆该线路层及该些第二导电组件。

2.根据权利要求1所述的用于接置半导体装置的层结构，其特征在于，该第一胶体还具有第一顶面，该第二胶体具有第二底面，该些第一导电组件还均具有外露于该第一胶体的第一顶面的第二端部，该些第二导电组件均具有外露于该第二胶体的第二底面的第三端部。

3.根据权利要求2所述的用于接置半导体装置的层结构，其特征在于，该层结构还包括芯片，其设置于该第二胶体的第二底面上，并电性连接该些第二导电组件的第三端部。

4.根据权利要求2所述的用于接置半导体装置的层结构，其特征在于，该层结构还包括芯片，其设置于该第一胶体的第一顶面上，并电性连接该些第一导电组件的第二端部。

5.根据权利要求4所述的用于接置半导体装置的层结构，其特征在于，该层结构还包括电路板，其设置于该第二胶体的第二底面上，并电性连接该些第二导电组件的第三端部。

6.根据权利要求1所述的用于接置半导体装置的层结构，其特征在于，该线路层的厚度小于300微米。

7.根据权利要求1所述的用于接置半导体装置的层结构，其特征在于，该线路层的材质为金、铜、铁、钢或铜镍钯合金。

8.一种用于接置半导体装置的层结构的制法，其包括：

提供一具有导电层、多个第一导电组件、多个第二导电组件与第一胶体的基材，该导电层具有相对的第一表面与第二表面，该些第一导电组件与该些第二导电组件分别形成于该导电层的第一表面及第二表面上，该第一胶体形成于该导电层的第一表面上以包覆该些第一导电组件；

移除部分该导电层以形成线路层，以使该些第一导电组件分别经由该线路层电性连接该些第二导电组件；以及

形成第二胶体于该第一胶体的第一底面上以包覆该线路层及该些第二导电组件。

9.根据权利要求8所述的用于接置半导体装置的层结构的制法，其特征在于，该基材的制程包括：

形成该些第一导电组件于该导电层的第一表面上；

形成该第一胶体于该导电层的第一表面上以包覆该些第一导电组件；以及

形成该些第二导电组件于该导电层的第二表面上。

10.根据权利要求8所述的用于接置半导体装置的层结构的制法，其特征在于，该制法还包括自该第一胶体的第一顶面对该第一胶体进行薄化作业以外露出该些第一导电组件的第二端部。

11.根据权利要求8所述的用于接置半导体装置的层结构的制法，其特征在于，该制法还包括自该第二胶体的第二底面对该第二胶体进行薄化作业以外露出该些第二导电组件的第三端部。

12.根据权利要求8所述的用于接置半导体装置的层结构的制法，其特征在于，该制法还包括设置芯片于该第二胶体的第二底面上，并电性连接该芯片与该些第二导电组件的第三端部。

13.根据权利要求8所述的用于接置半导体装置的层结构的制法，还包括设置芯片于该第一胶体的第一顶面上，并电性连接该芯片与该些第一导电组件的第二端部。

14.根据权利要求13所述的用于接置半导体装置的层结构的制法，其特征在于，该制法还包括设置电路板于该第二胶体的第二底面上，并电性连接该电路板与该些第二导电组件的第三端部。

15.根据权利要求8所述的用于接置半导体装置的层结构的制法，其特征在于，该导电层为导电薄膜且其厚度小于300微米。

16.根据权利要求8所述的用于接置半导体装置的层结构的制法，其特征在于，该导电层的材质为金、铜、铁、钢或铜镍钯合金。