[发明专利]超薄触控传感器及其制作方法在审
| 申请号: | 201410037667.9 | 申请日: | 2014-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN103744571A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
| 发明(设计)人: | 方宗豹;周小红;陈林森;谢文;盖明启 | 申请(专利权)人: | 苏州维业达触控科技有限公司;苏州苏大维格光电科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
| 地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 超薄 传感器 及其 制作方法 | ||
1.一种超薄触控传感器,其特征在于,所述超薄触控传感器包括:
依次层叠排布的基材层、接收电路层、发射电路层和保护层,所述接收电路层和发射电路层位于所述基材层的同侧;
所述发射电路层和接收电路层包括:多个导电网格、以及压印层,所述多个导电网格嵌合于所述压印层中,所述导电网格包括至少三条顺次连接的网格线,所述网格线的宽度大于或等于1μm,所述网格线的高度与宽度之比的范围为1:0.5~1:2。
2.如权利要求1所述的超薄触控传感器,其特征在于,所述导电网格的横截面形状为多边形。
3.如权利要求1所述的超薄触控传感器,其特征在于,所述网格线包括若干第一网格线和若干第二网格线,所述若干第一网格线沿第一方向相互平行排布,所述若干第二网格线位于所述第一网格线之间且垂直于所述第一网格线排布,所述任一条第一网格线两侧的第二网格线错位分布。
4.如权利要求1所述的超薄触控传感器,其特征在于,所述导电网格的材质为纳米级金属导电材料或有机导电材料。
5.如权利要求1所述的超薄触控传感器,其特征在于,所述保护层包括光学胶层。
6.如权利要求1所述的超薄触控传感器,其特征在于,所述发射电路层、接收电路层分离设置,所述发射电路层和接收电路层之间设置所述绝缘层。
7.一种制备如权利要求1-6任意一项所述的超薄触控传感器的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括如下步骤:
S1、通过纳米压印的方式将纳米结构图案压印于压印材料上,所述压印材料上形成与纳米结构图案相对应的微纳结构凹槽;
S2、对所述具有微纳结构凹槽的表面进行纳米导电材料的涂布,使得所述纳米导电材料填入微纳结构凹槽中,进行烧结,形成接收电路层;
S3、在所述接收层电路层表面涂布或印刷一层透明的绝缘材料,在所述绝缘材料表面涂布压印材料,并在压印材料上纳米压印形成微纳结构凹槽;
S4、在纳米压印获得的微纳结构凹槽表面涂布纳米导电材料,通过抛光方式将凹槽以外的纳米导电材料去除,进行烧结,烧结完毕形成发射电路层;
S5、在发射电路层表面的FPC绑定区域之外涂布保护层。
8.如权利要求7所述的超薄触控传感器的制作方法,其特征在于,所述涂布或印刷绝缘材料时,通过网版或者镂空掩膜保护的方式,避免接收电路层的引脚区域被绝缘材料覆盖;所述步骤S1及S3中纳米压印时,通过掩膜保护的方式避免接收电路层的FPC绑定区域、及发射电路层的FPC绑定区域被压印材料覆盖。
9.一种制备如权利要求1-5任意一项所述的超薄触控传感器的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括如下步骤:
S1、通过纳米压印的方式将纳米结构图案压印于压印材料上,所述压印材料上形成与纳米结构图案相对应的微纳结构凹槽;
S2、对所述具有微纳结构凹槽的表面进行纳米导电材料的涂布,使得所述纳米导电材料填入微纳结构凹槽中,进行烧结,形成接收电路层;
S3、在所述接收层电路层表面涂布压印材料,并在压印材料上纳米压印微纳结构凹槽;
S4、在纳米压印获得的微纳结构凹槽表面涂布纳米导电材料,通过抛光方式将凹槽以外的纳米导电材料去除,进行烧结,烧结完毕形成发射电路层;
S5、在发射电路层表面的FPC绑定区域之外涂布保护层。
10.如权利要求9所述的超薄触控传感器的制作方法,其特征在于,所述步骤S1及S3中纳米压印时,通过掩膜保护的方式避免接收电路层的FPC绑定区域、及发射电路层的FPC绑定区域被压印材料覆盖。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州维业达触控科技有限公司;苏州苏大维格光电科技股份有限公司,未经苏州维业达触控科技有限公司;苏州苏大维格光电科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410037667.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





