[发明专利]超薄触控传感器及其制作方法在审
| 申请号: | 201410037667.9 | 申请日: | 2014-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN103744571A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
| 发明(设计)人: | 方宗豹;周小红;陈林森;谢文;盖明启 | 申请(专利权)人: | 苏州维业达触控科技有限公司;苏州苏大维格光电科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
| 地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 超薄 传感器 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种触控传感器,具体涉及一种超薄触控传感器及其制作方法。
背景技术
随着科技的不断发展,触摸屏作为一种简单、便捷的人机交互方式,已经广泛应用于我们日常生活的各个领域,比如手机、媒体播放器、导航系统、数码相机、相框、PDA、游戏设备、显示器、电器控制、医疗设备等等。触控技术开辟了移动终端人际交互操作的新模式,大尺寸、超薄柔性、低成本已成为触摸屏行业的必然发展趋势。
触摸屏技术主要分为电阻式、电容式、红外式以及表面声波方式,其中电容式触摸屏又分为表面电容式和感应电容式。感应电容式触摸屏具有实现真实多点触摸、透明度好、耐用性好、分辨率高等优点,其已成为手机、平板电脑等消费类电子产品的主流技术。
在电容式触摸屏中,触控传感器(Touch Sensor)是触摸屏中最关键的元件,其成本占整个触摸屏的40%。在真正能够实现多点触控的电容式触摸屏中,商业化的产品中的导电材料基本为氧化铟锡(ITO),触控传感器的主要结构为单面ITO结构和双面ITO结构。其中,单面ITO结构是感应电极层和驱动电极层位于同一层ITO结构上,采用搭桥工艺;双面ITO结构则是感应电极层和驱动电极层分别位于两层ITO结构上。双面ITO结构可以是同一基材,组合形成GF2(Glass-Film Ditto)触摸屏结构;或者是双层基材,ITO结构处于两层薄膜感应器(Film Sensor)上,然后通过光学透明胶将两层薄膜进行贴合从而组合形成GFF(Glass-Film-Film)结构。对于上述ITO传感器无论是单面结构还是双面结构,其电极图案的制作方法主要为:首先在基材表面溅射ITO材料,再通过黄光、蚀刻工艺形成电极电路。
然而,传统的使用ITO的触控传感器及其制作方法则存在以下问题:在基材上溅镀的厚度均匀性控制难度提高、良率降低;同时为了满足低方阻的要求,必然需要增加ITO成膜的厚度,但是如此却带来透过率降低的问题。此外,由于ITO制作中需要通过黄光和蚀刻工艺形成电路,因而传统的工艺还存在环保的问题。而且,ITO材料本身资源有限,随着触摸屏市场应用的扩展,势必来带使用ITO材料的触控传感器的成本上升的问题。同时,触控传感器的超薄化也是今后的必然趋势,如何减小触控传感器的厚度也将成为今后科学研究的重点领域。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种超薄触控传感器、及其制作方法。
为了实现上述目的之一,本发明的一种超薄触控传感器,其包括:
依次层叠排布的基材层、接收电路层、发射电路层和保护层,所述接收电路层和发射电路层位于所述基材层的同侧;
所述发射电路层和接收电路层包括:多个导电网格、以及压印层,所述多个导电网格嵌合于所述压印层中,所述导电网格包括至少三条顺次连接的网格线,所述网格线的宽度大于或等于1μm,所述网格线的高度与宽度之比的范围为1:0.5~1:2。
作为本发明的进一步改进,所述导电网格的横截面形状为多边形。
作为本发明的进一步改进,所述网格线包括若干第一网格线和若干第二网格线,所述若干第一网格线沿第一方向相互平行排布,所述若干第二网格线位于所述第一网格线之间且垂直于所述第一网格线排布,所述任一条第一网格线两侧的第二网格线错位分布。
作为本发明的进一步改进,所述导电网格的材质为纳米级金属导电材料或有机导电材料。
作为本发明的进一步改进,所述保护层包括光学胶层。
作为本发明的进一步改进,所述发射电路层、接收电路层分离设置,所述发射电路层和接收电路层之间设置所述绝缘层。
为实现上述另一发明目的,本发明提供一种制备如上所述的超薄触控传感器的制作方法,其包括如下步骤:
S1、通过纳米压印的方式将纳米结构图案压印于压印材料上,所述压印材料上形成与纳米结构图案相对应的微纳结构凹槽;
S2、对所述具有微纳结构凹槽的表面进行纳米导电材料的涂布,使得所述纳米导电材料填入微纳结构凹槽中,进行烧结,形成接收电路层;
S3、在所述接收层电路层表面涂布或印刷一层透明的绝缘材料,在所述绝缘材料表面涂布压印材料,并在压印材料上纳米压印形成微纳结构凹槽;
S4、在纳米压印获得的微纳结构凹槽表面涂布纳米导电材料,通过抛光方式将凹槽以外的纳米导电材料去除,进行烧结,烧结完毕形成发射电路层;
S5、在发射电路层表面的FPC绑定区域之外涂布保护层。
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