[发明专利]发光二极管结温检测装置及其检测方法有效
| 申请号: | 201410037358.1 | 申请日: | 2014-01-25 | 
| 公开(公告)号: | CN103759847A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 | 
| 发明(设计)人: | 胡益民;佘露;刘岩;敬刚;张志甜;刘淮源;陆兆隆;曹鸣皋;袁文龙;肖文鹏;梁荣;丁钊;曹广忠;汤皎宁;张超;朱惠忠 | 申请(专利权)人: | 深圳清华大学研究院 | 
| 主分类号: | G01K7/00 | 分类号: | G01K7/00 | 
| 代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 孔丽霞 | 
| 地址: | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 检测 装置 及其 方法 | ||
1.一种发光二极管结温检测装置,包括:
驱动模块,用以向发光二极管提供工作电流;
测试恒流源模块,用以向所述发光二极管提供测试电流I和I+ΔI;
微处理器模块,用以控制所述驱动模块与所述测试恒流源模块分时向所述发光二极管提供电流;
压降检测模块,用以检测所述发光二极管在测试电流为I和I+ΔI时的电压降;以及
数据处理模块,用以根据所述压降检测模块检测得到的测试电流为I和I+ΔI时的电压降的差值得到发光二极管的结温。
2.如权利要求1所述的发光二极管结温检测装置,其特征在于:所述数据处理模块依据 得到发光二极管的结温,其中,ΔV为测试电流为I和I+ΔI时的发光二极管两端的电压降差值,n为理想因子,k为玻尔兹曼常亮,q为电子电量,T为温度。
3.如权利要求1所述的发光二极管结温检测装置,其特征在于:所述ΔI的取值范围在0.05I-0.1I之间。
4.如权利要求1所述的发光二极管结温检测装置,其特征在于:还包括切换开关模块,所述微处理器模块通过所述切换开关模块控制所述驱动模块与所述测试恒流源模块分时向所述发光二极管提供电流。
5.如权利要求4所述的发光二极管结温检测装置,其特征在于:所述切换开关模块为金属氧化物场效应管。
6.如权利要求1所述的发光二极管结温检测装置,其特征在于:所述测试恒流源由第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第一电阻R21、第二电阻以及第三电阻组成,所述第一晶体管T1为一PNP型三极管,所述第一晶体管T1的基极连接其集电极,所述第一晶体管T1的发射极连接电源VCC,所述第一晶体管T1的集电极连接所述第一电阻的一端,所述第一电阻的另一端连接所述第二电阻的一端,所述第二电阻的另一端连接接地端,所述第二晶体管T2的基极连接所述第一晶体管T1的基极,所述第二晶体管T2的发射极连接所述第一晶体管T1的发射极,并与所述电源VCC连接,所述第二晶体管T2的集电极连接所述发光二极管的正极,所述第三晶体管T3的基极连接第三电阻的一端,所述第三晶体管T3的集电极连接所述第一电阻及第二电阻之间的公共端,所述第三晶体管T3的发射极连接接地端。
7.如权利要求6所述的发光二极管结温检测装置,其特征在于:所述微处理器的一输出端连接所述第三电阻的另一端,以控制所述测试恒流源的输出至发光二极管的测试电流。
8.如权利要求7所述的发光二极管结温检测装置,其特征在于:所述微处理器的所述一输出端输出脉冲宽度调制信号以控制第三晶体管的导通或截止,进而控制所述测试恒流源输出至所述发光二极管的测试电流。
9.如权利要求1所述的发光二极管结温检测装置,其特征在于:所述驱动模块为恒流源,所述数据处理模块为微处理器。
10.一种采用发光二极管结温检测装置检测发光二极管结温的方法,所述发光二极管结温检测装置包括驱动模块、测试恒流源模块、微处理器模块、压降检测模块以及数据处理模块,该方法包括:
所述微处理器模块控制所述驱动模块向一发光二极管提供工作电流以使得所述发光二极管工作在稳定状态;
所述微处理器模块快速切断驱动模块供给在发光二极管上的电流,并控制测试恒流源模块向所述发光二极管供给电流I;
所述微处理器模块发出脉冲宽度调制信号以控制所述测试恒流源模块向所述发光二极管提供电流I+ΔI;
所述压降检测模块检测在测试电流I和I+ΔI通过发光二极管时发光二极管两端的电压降;
所述数据处理模块依据压降检测模块检测到的测试电流I和I+ΔI通过发光二极管时发光二极管两端的电压降的差值得到发光二极管的结温。
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