[发明专利]制备半导体结构以及相关器件的方法

权利要求书

1.一种制备半导体结构的方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述衬底上提供外延层，所述外延层包括：

底部，所述底部包含在整个所述底部上的具有基本上恒定的第一浓度的第一导电型掺杂物；

上部，所述上部包含具有比所述第一浓度低的第二浓度的第一导电型掺杂物；

在所述外延层中提供沟槽；

在所述沟槽中形成晶体管结构；以及

在所述外延层的所述上部中与所述沟槽相邻地形成阱区，所述阱区包含与所述第一导电型相反的第二导电型掺杂物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶体管结构构成屏蔽栅极MOSFET器件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述外延层的所述上部延伸至恰好在所述阱区下面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一掺杂物浓度在约5×10¹⁵原子/cm³至约3×10¹⁷原子/cm³的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二掺杂物浓度在约1×10¹³原子/cm³至约1×10¹⁶原子/cm³的范围内。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二掺杂物浓度为约1×10¹⁵原子/cm³。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述外延层的所述上部中的所述第二浓度使具有阱区的结附近的电场降低并变平。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法在维持高击穿电压的同时实现较低导通电阻性能并且在所述沟槽之间形成较高的台面漂移掺杂。

9.一种制备功率半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述衬底上提供外延层，所述外延层包括：

底部，所述底部包含在整个所述底部上基本上恒定的第一浓度的第一导电型掺杂物；

上部，所述上部包含具有比所述第一浓度低的第二浓度的第一导电型掺杂物；

在所述外延层中提供沟槽；

在所述沟槽中形成晶体管结构；以及

在所述外延层的所述上部中与所述沟槽相邻地形成阱区，所述阱区包含与所述第一导电型相反的第二导电型掺杂物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述晶体管结构构成屏蔽栅极MOSFET器件。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述外延层的所述上部延伸至恰好在所述阱区下面。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一掺杂物浓度在约5×10¹⁵原子/cm³至约3×10¹⁷原子/cm³的范围内。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二掺杂物浓度在约1×10¹³原子/cm³至约1×10¹⁶原子/cm³的范围内。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二掺杂物浓度为约1×10¹⁵原子/cm³。

15.根据权利要求10所述的方法，其中所述外延层的所述上部中的所述第二浓度使具有阱区的结附近的电场降低并变平。

16.根据权利要求9所述的方法，其中所述方法在维持高击穿电压的同时实现较低导通电阻性能并且在所述沟槽之间形成较高的台面漂移掺杂。