[发明专利]一种高纯无水碘化锶的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410029571.8 申请日: 2014-01-22
公开(公告)号: CN103818942A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 陈俊锋;杜勇;王绍华;陈立东 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地
主分类号: C01F11/20 分类号: C01F11/20
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 高纯 无水 碘化 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种高纯无水碘化锶的制备方法,更具体地说,本发明涉及一种单晶生长用高纯无水碘化锶原料的制备方法,属于卤化物材料制备领域,特别是晶体生长用卤化物原料制备领域。

背景技术

无机闪烁体可用于快速、灵敏和准确地确定高浓缩铀、武器级钚、放射源和其它特殊核原料的γ射线特性,在放射性核素识别、安全检查、环境监测、生化武器核查、低能核试验和核不扩散核查等辐射探测领域具有广泛的应用。近些年,随着全球核安全和恐怖形势的日益严峻,以及人们辐射环境安全意识的提高,对更高性能闪烁体的需求也日益增加。目前,在上述领域中应用最为广泛的一种闪烁体是NaI:Tl晶体,但NaI:Tl晶体的能量响应非比例性和能量分辨性能较差,且作为激活剂离子的剧毒Tl+离子的大量使用,也存在环境受到污染的安全隐患。新一代闪烁材料LaBr3:Ce晶体具有良好的闪烁性能,但该材料存在严重的解理或应力开裂,熔体易与坩埚发生反应,制备成本高昂,同时还含有可产生放射性本底的138La同位素成分,其在辐射探测领域的应用受到了较大的限制。

早在1969年,美国Robert Hofstadter就申请了Eu2+掺杂碘化锶(SrI2:Eu)晶体作为辐射探测材料的专利,但由于当时制备出晶体的质量较差,性能相比于已经商业化的Tl+离子掺杂NaI晶体并无优势,随后其相关研究陷入近40年的沉寂。直到2008年,在制备出了高质量的SrI2:Eu晶体后,Nerine Cherepy等人重新认识到SrI2:Eu的优异闪烁性能。他们的研究发现,SrI2:Eu的光输出可达120,000ph/MeV,是光输出已知最高的无机闪烁体,具有极佳的能量分辨率(<3%),在较宽的能量范围内具有较好的能量线性。另外,碘化锶具有较低的熔点,无解理,从熔点温度到室温范围内无相变,极易采用坩埚下降法实现规模化产业化制备。但大尺寸碘化锶晶体的制备却面临较大的困难,市面上销售的碘化锶原料必须先经过区熔提纯才能使用,且生长出的晶体质量与原料的批次存在较大的关联性,即使采用极慢的降温速度,生长出的晶体也常会发生开裂,这不仅增加了设备和工艺的复杂性,也限制了该晶体应用级尺寸(三英寸直径及以上)的发展。

一般认为,晶体生长存在的这些问题的根源是原料的纯度不够高,而除了金属杂质离子的含量外,原料中常含有水分子和非水类含氧杂质,这些水分子和非水类含氧类杂质对于晶体生长而言也是有害的杂质。卤化物中原料中水分子一般以吸附水和结晶水的形式存在,而含氧杂质最主要的是主成分被氧化后形成的氧化物或卤氧化物。在原料制备源头上,避免这些物质的产生是获取高纯原料的根本途径,也是提高晶体光学质量和性能的必然选择。碘化锶(SrI2)是一种由锶和碘元素构成的无机盐,属于离子化合物,无水的碘化锶极易潮解,且在见光或暴露于空气中易析出碘单质而变黄,而Sr2+离子则转换为氧化锶;在有氧情况,碘化锶受热更易被氧化,制备高纯、低氧化度和低含水量的无水碘化锶一直存在较大的难度,也是制约碘化锶晶体走向实际应用的最大障碍。

现在制备无水碘化锶的常用的方法主要有以下两种:

方法一:将浓度为15%~20%的氢碘酸逐滴加到碳酸锶中进行中和反应,pH=5.5±0.5时为终点,游离出的碘可过滤除去。在加热浓缩过程中,万一有大量游离碘时,可逐滴加入H2S水溶液进行还原。继续吸滤浓缩,浓缩至约100g溶液中含碘化锶300~320g左右,放置冷却,可析出六水碘化锶。离心脱水后在干燥器中干燥,将六水碘化锶与碘化铵充分混合,在半封闭的玻璃管中,减压缓缓升温,熔融脱水,即可转变为无水碘化锶,冷却后结晶析出。

方法二:将碳酸锶加入水中搅拌形成浆体,而后将氢碘酸逐渐加入浆体中与碳酸锶反应,形成碘化锶的水溶液,待溶液的pH为1时,将溶液在空气中加热至140℃,保持该温度一段时间,使得溶液中水大量蒸发,将蒸发后产物冷却至5℃,过滤得到含有六个结晶水的碘化锶水合物,将水合物在真空下与溶液母体分离;抽真空逐步升高温度至60℃,90℃,150℃和300℃,在每个温度段均保持一段时间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地,未经中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410029571.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top