[发明专利]显示单元及其制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种显示单元，包括：

显示层，包括像素电极；

半导体层，设置在所述显示层下方的层中，所述半导体层包括配线层，所述配线层包括能够被蚀刻剂移除的材料，所述像素电极也能够被所述蚀刻剂移除；以及

端子部，被配置为将所述半导体层电连接到外部电路，所述端子部包括由与所述配线层的材料相同的材料制成的第一导电层。

2.根据权利要求1所述的显示单元，其中：

所述半导体层包括栅电极和源-漏电极对，以及

所述端子部由与所述栅电极和所述源-漏电极对之一的材料相同的材料制成的所述第一导电层构成。

3.根据权利要求2所述的显示单元，其中：

所述半导体层包括多层配线层，以及

所述端子部由与构成所述多层配线层的金属膜的材料相同的材料制成的所述第一导电层构成。

4.根据权利要求3所述的显示单元，其中，所述端子部由所述第一导电层和包括所述第一导电层和第二导电层的层压结构之一构成，所述第一导电层由与所述栅电极的材料、所述源-漏电极对的材料、和所述金属膜的材料中的至少一种相同的材料制成，所述第二导电层包括构成所述像素电极的材料。

5.根据权利要求4所述的显示单元，其中：

所述像素电极和所述端子部中的所述第二导电层中的每个都具有包括透明电极膜和反射电极膜的层压结构，以及

构成所述端子部的所述第二导电层中的所述透明电极膜包括开口。

6.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述端子部至少在所述端子部的两端具有保护膜。

7.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述蚀刻剂是乙酸-磷酸-硝酸基水溶液、氢氟酸-硝酸基水溶液、和氨-氢过氧化物基水溶液之一。

8.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述端子部包括铝（Al）、银（Ag）、和钼（Mo）中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述端子部包括钽（Ta）和钨（W）中的一种或两种。

10.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述端子部包括钛（Ti）、氮化钛（TiN）、和铜（Cu）中的一种或多种。

11.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述像素电极和所述配线层之一或两者具有以下配置：在所述配置中，层压具有不同蚀刻特性的层。

12.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述像素电极具有以下配置：在所述配置中，层压铝（Al）和铝合金之一以及氧化铟锡（ITO）。

13.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述配线层具有Ti层、Al层和Ti层依次层压的层压结构。

14.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述半导体层依次包括栅电极、半导体膜、和源-漏电极对，或者依次包括半导体膜、栅电极、和源-漏电极对。

15.根据权利要求4所述的显示单元，其中，所述第二导电层层压在所述第一导电层上。

16.一种显示单元的制造方法，所述方法包括：

在基板上的半导体层中形成配线层，并且在端子部中形成第一导电层，所述第一导电层由与所述配线层的材料相同的材料制成；

在所述半导体层和所述第一导电层上形成作为连续膜的像素电极，所述像素电极构成显示层，且所述像素电极由能够被蚀刻剂移除的材料制成，所述配线层也能够被所述蚀刻剂移除；以及

移除所述第一导电层上的部分或全部所述像素电极以形成所述端子部。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：在所述配线层和所述第一导电层的形成与所述像素电极的形成之间，

在所述配线层和所述第一导电层上形成作为连续膜的保护膜；以及

移除所述配线层上的所述保护膜。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述第一导电层上形成所述像素电极作为第二导电层，且随后移除部分或全部所述像素电极。

19.根据权利要求18所述的方法，其中：

所述像素电极由反射电极膜和透明电极膜构成，以及

所述第二导电层是通过从所述像素电极中移除部分或全部所述透明电极形成的。

20.一种具有显示单元的电子设备，所述显示单元包括：

显示层，包括像素电极；

半导体层，设置在所述显示层下方的层中，所述半导体层包括配线层，所述配线层包括能够被蚀刻剂移除的材料，所述像素电极也能够被所述蚀刻剂移除；以及

端子部，被配置为将所述半导体层电连接到外部电路，所述端子部包括由与所述配线层的材料相同的材料制成的第一导电层。