[发明专利]电子器件的制造方法和电子器件在审

专利信息
申请号: 201410027343.7 申请日: 2014-01-21
公开(公告)号: CN103944530A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 上月敦词 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: H03H9/15 分类号: H03H9/15;H03H3/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子器件的制造方法,其包括:

贯通电极形成工序,在绝缘性的基底基板上形成贯通电极;

电子元件安装工序,在所述基底基板的一方的表面上安装电子元件;

盖体设置工序,将收纳所述电子元件的盖体与所述基底基板接合;

导电膜形成工序,在所述基底基板的另一方的表面上、和从另一方的所述表面露出的所述贯通电极的端面上形成导电膜;

电极图案形成工序,在所述贯通电极的端面和所述端面的周围的所述表面上保留所述导电膜,形成电极图案;以及

外部电极形成工序,通过化学镀覆法在所述电极图案的表面堆积化学镀覆膜,形成外部电极。

2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法,其中,

在所述电子元件安装工序和盖体设置工序之后,进行所述外部电极形成工序。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法,其中,

在所述外部电极形成工序之后,具有在所述化学镀覆膜的表面上形成金属膜的金属膜形成工序。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的电子器件的制造方法,其中,

所述贯通电极是铁镍系合金。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的电子器件的制造方法,其中,

所述化学镀覆膜是镍膜或铜膜。

6.根据权利要求3所述的电子器件的制造方法,其中,

所述金属膜为金薄膜。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的电子器件的制造方法,其中,

所述化学镀覆膜的厚度为1μm~10μm。

8.一种电子器件,其具有:

绝缘性的基底基板,其形成有多个贯通电极;

电子元件,其安装在所述基底基板的一方的表面上;以及

盖体,其收纳所述电子元件,并与所述基底基板接合,

在从所述基底基板的另一方的表面露出的所述贯通电极的端面上、和所述端面的周围的另一方的所述表面上形成有外部电极,

所述外部电极具有导电膜和通过化学镀覆法在所述导电膜的表面上形成的化学镀覆膜。

9.根据权利要求8所述的电子器件,其中,

所述贯通电极由铁镍系合金构成,所述导电膜由金属膜构成,所述化学镀覆膜由镍或铜构成。

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