[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明概念涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

作为增加半导体器件的密度的缩小(scaling)技术，已经提出多栅极晶体管，该多栅极晶体管是通过在衬底上形成鳍形状的硅主体并在硅主体的表面上形成栅极而形成的。

由于多栅极晶体管使用三维（3D）沟道，它们可以被缩小尺寸。另外，多栅极晶体管的电流控制能力能够得以改善，而不需要增加栅极长度。此外，可以抑制在沟道区域中被漏极电压所影响的电势上的短沟道效应（SCE）。

发明内容

本发明概念的各实施方式提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过形成具有平滑表面的凹陷而提供洁净的外延生长表面。

本发明概念的各实施方式也提供了一种制造半导体器件的方法，该方法能够通过形成具有光滑表面的凹陷而提供洁净的外延生长表面。

但是，本发明概念并不局限于在此描述的一个实施方式。通过参照下面给出的本发明概念的详细描述，本发明概念的上述和其他实施方式将对本领域技术人员来说变得更容易理解。

根据本发明概念的一些实施方式，一种制造半导体器件的方法包括：提供从衬底突出的鳍状物以及在鳍状物上以与鳍状物相交的多个栅极；在鳍状物内在相应的栅极的至少一侧上形成第一凹陷；在第一凹陷的表面上形成氧化物层；以及通过去除所述氧化物层将第一凹陷扩展到第二凹陷中。

根据本发明概念的另一实施方式，一种半导体器件包括从衬底突出的鳍状物；形成在所述鳍状物上以与所述鳍状物相交的多个栅极；在每个栅极的至少一侧上的源/漏区域；以及在源/漏区域上的硅化物层，其中，所述源/漏区域的宽度大于栅极间隔物的节距，且所述栅极间隔物的底表面和所述源/漏区域的侧面基本上形成直角。

附图说明

本发明概念的上述和其他优点将通过参照附图详细描述其示例性实施方式而变得更清楚，图中：

图1是示出根据本发明概念的各种实施方式的半导体器件的透视图；

图2是沿着图1的线A-A截取的横截面图；

图3是沿着图1的线B-B截取的横截面图；

图4和5是示出根据本发明概念的各种实施方式的半导体器件的电路图和布局；

图6是示出根据各种实施方式的图5中所示的半导体器件的多个鳍状物和多个电极的示意性布局。

图7是示出根据本发明概念的各种实施方式的制造半导体器件的方法的流程图；

图8至14是示出根据各种实施方式的方法的操作的视图；

图15是示出根据本发明概念的各种实施方式的包括半导体器件的电子系统的方块图；以及

图16和17是示出根据本发明各种实施方式的半导体器件可以应用于其上的半导体系统的实例的视图。

具体实施方式

下面将参照附图更全面描述本发明概念的各实施方式。但是，本发明概念可以不同的形式来实施而不应理解为限制于在此陈述的实施方式。而是，提供这些实施方式以便本公开内容彻底和完全，并且完整地向本领域技术人员传达本发明概念的范围。在整个说明书中相同的附图标记标识相同的部件。在附图中，层和区域的厚度为了清楚而夸大。

在描述本发明概念的实施方式的上下文（尤其是在所附权利要求书的上下文中），术语“一”和“该”及类似称谓应被理解为覆盖单数和复数二者，除非在此另有说明或者被上下文清楚地否定。术语“包括”、“具有”、和“包含”要被理解为开放端部的术语（即，意思为包括但不限于），除非另有说明。

将理解到当层被称为在另一层或衬底“上”时，它可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在中间层。相反，当元件被称为直接在另一元件上时，则不存在中间元件。

空间相对术语，如“在…之下”、“下面”、“下部”、“在…之上”、“上部”等出于容易描述的目的而在此使用，以描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一个元件或特征的关系。将理解到该空间相对术语意在除了图中所示的取向之外，还涵盖在使用或操作中器件的不同取向。例如，如果图中的器件被翻转，则描述为在另一元件或特征之下或下面的元件那么将取向在该另一元件或特征之上。从而，示例性术语“下面”能够涵盖之上和之下的取向。器件可以其他方式取向（旋转90度或以其他取向），并且在此使用的空间相对描述相应地予以解释。

将理解到，虽然术语第一、第二等在此用于描述各种元件，这些元件不应被这些术语所局限。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。从而，例如，下面描述的第一元件、第二部件或第一部分也可以被称为第二元件、第二部件或第二部分，而不背离本发明的教导。