[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供鳍状物和多个栅极，所述鳍状物形成为从衬底突出，且所述多个栅极形成在所述鳍状物上以与所述鳍状物相交；

在相应栅极的至少一侧上、在所述鳍状物内形成第一凹陷；

在所述第一凹陷的表面上形成氧化物层；以及

通过去除所述氧化物层而将所述第一凹陷扩展为第二凹陷。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二凹陷为U形形状。

3.如权利要求1所述的方法，其中，每个第二凹陷的第一表面和第二表面彼此基本上形成直角。

4.如权利要求3所述的方法，其中，每个第二凹陷的第一表面和第二表面之间的角度在87度到90度。

5.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一凹陷包括通过干蚀刻形成所述第一凹陷。

6.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述氧化物层包括通过干式氧化或湿式氧化形成氧化物层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述氧化物层包括形成氧化物层，使得所述氧化物层在每个第一凹陷的第一表面上比在第二表面上厚。

8.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述氧化物层包括形成氧化物层，使得分别在每个第一凹陷的第一表面上的氧化物层的厚度与在第二表面上的氧化物层的厚度之间的比率是1:1.2到1:1.4。

9.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一凹陷的第一表面包括所述第一凹陷的底表面，而所述第一凹陷的第二表面包括所述第一凹陷的侧表面。

10.如权利要求1所述的方法，还包括：

在每个栅极的侧壁上形成栅极间隔物；

其中所述栅极间隔物的节距小于所述第二凹陷的宽度。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：

通过外延生长在所述第二凹陷内形成源/漏区域。

12.一种半导体器件，包括：

形成为从衬底突出的鳍状物；

在所述鳍状物上以与所述鳍状物相交的多个栅极；

在每个栅极的至少一个侧壁上的栅极间隔物；

在每个栅极的至少一侧上的源/漏区域；

在所述源/漏区域上的硅化物层；

其中，所述源/漏区域的宽度大于所述栅极间隔物的节距，并且所述栅极间隔物的底表面和所述源/漏区域的侧面基本上形成直角。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中，所述栅极间隔物的底表面部分接触所述源/漏区域。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其中，所述鳍状物和所述源/漏区域之间的界面是U形的。

15.一种鳍型场效应晶体管半导体器件，包括：

在衬底上的鳍状物；

横过所述鳍状物的多个栅极；

在每个栅极的至少一侧上、在所述鳍状物内的凹陷中的外延源/漏区域，其中，所述源/漏区域的侧表面和底表面在所述凹陷中的位置处彼此接触，并在该位置处彼此形成基本上直角。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其中，所述凹陷的侧表面和底表面之间的角是87度至90度。

17.如权利要求15所述的半导体器件，其中，所述鳍状物和所述源/漏区域之间的界面是U形的。

18.如权利要求15所述的半导体器件，其中，所述凹陷相对于所述衬底在所述栅极的高度之下。

19.如权利要求15所述的半导体器件，还包括：

在每个栅极的至少一个侧壁上的栅极间隔物，其中，所述源/漏区域的宽度大于所述栅极间隔物的节距。

20.如权利要求15所述的半导体器件，其中，所述多个栅极穿过所述多个鳍状物和共享接触，使得第一上拉鳍型晶体管串联连接到第一下拉鳍型晶体管，以形成第一反相器，且其中第二上拉鳍型晶体管串联连接到第二下拉鳍型晶体管以形成第二反相器，并且其中，所述第一反相器的输入节点连接到所述第二反相器的输出节点，且所述第二反相器的输入节点连接到所述第一反相器的输出节点，使得第一和第二反相器形成单个闩定电路。