[发明专利]半导体封装结构及半导体工艺

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其包括：

第一衬底，其具有上表面及多个第一衬底上导电垫；

第二衬底，其具有下表面及多个第二衬底下导电垫，其中所述第一衬底的上表面是面对所述第二衬底的下表面；

裸片，其电连接到所述第一衬底的上表面；

多个内连接元件，其连接所述第一衬底上导电垫及所述第二衬底下导电垫；

粘性膜，其粘合所述第二衬底及所述裸片，其中所述粘性膜是由片状体所形成，且包含SiOx填充粒子；及

包覆材料，其位于所述第一衬底的上表面及所述第二衬底的下表面之间，且包覆所述裸片、所述粘性膜及所述内连接元件。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一衬底进一步具有下表面及多个第一衬底下导电垫，所述第一衬底下导电垫显露于所述第一衬底下表面，且所述第一衬底上导电垫显露于所述第一衬底上表面；所述第二衬底进一步具有上表面及多个第二衬底上导电垫，所述第二衬底上导电垫显露于所述第二衬底上表面，且所述第二衬底下导电垫显露于所述第二衬底下表面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中每一所述内连接元件是焊球，其具有中心部及外围部，所述外围部接触所述包覆材料，且所述中心部的材质与所述外围部的材质相同。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第二衬底进一步具有第二下电介质层，所述第二衬底的下表面部分覆盖所述第二下电介质层，其中所述粘性膜全部接触所述第二下电介质层。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述粘性膜是热固性材质。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述粘性膜是整片贴附于所述裸片的表面上。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述粘性膜是裸片贴合膜DAF、导线上膜FOW或非导电膜NCF。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述粘性膜的外围表面与所述裸片的外围表面齐平。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述粘性膜的外围表面是由刀具切割而成。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述填充粒子的尺寸为粒径0.5μm以下。

11.一种半导体工艺，其包括以下步骤：

(a)将裸片的主动面电连接到第一衬底的上表面，其中所述第一衬底进一步具有多个第一衬底上导电垫，显露于所述第一衬底的上表面；

(b)将片状粘性膜贴附于所述裸片的背面上，所述粘性膜包含SiOx填充粒子；

(c)提供第二衬底，其中所述第二衬底具有下表面、多个第二衬底下导电垫及多个内连接元件，所述第二衬底下导电垫是显露于所述第二衬底的下表面，所述内连接元件是位于所述第二衬底下导电垫上；

(d)将所述第二衬底压合于所述粘性膜上，使得所述第二衬底的下表面粘附于所述粘性膜上，且所述内连接元件接触所述第一衬底上导电垫；

(e)进行回焊步骤，使得所述内连接元件熔融而连接到所述第一衬底上导电垫；及

(f)将包覆材料施加于所述第一衬底的上表面及所述第二衬底的下表面之间，以包覆所述裸片、所述粘性膜及所述内连接元件。

12.根据权利要求11所述的半导体工艺，其中所述步骤(b)包括：

(b1)将模具置放于所述第一衬底的上表面，其中所述模具围绕所述裸片，且所述模具的顶面与所述裸片的背面大致上共平面；

(b2)将所述片状粘性膜贴附于所述模具的顶面与所述裸片的背面；

(b3)沿着所述裸片的外缘切割所述片状粘性膜；及

(b4)移除所述模具及位于所述模具上的粘性膜。

13.根据权利要求12所述的半导体工艺，其中所述步骤(b2)进一步包括加热所述片状粘性膜的步骤。

14.根据权利要求11所述的半导体工艺，其中所述步骤(b)包括：

(b1)提供成卷的片状粘性膜；

(b2)将所述成卷的片状粘性膜的前端贴于所述裸片的背面的一端；

(b3)相对移动所述成卷的片状粘性膜与所述裸片，使得整个所述裸片的背面贴附所述片状粘性膜；及

(b4)于所述裸片的背面的另一端切断所述片状粘性膜。