[发明专利]发光装置、超辐射发光二极管及投影器

说明书

本发明提供一种发光装置，该发光装置能够抑制在光的行进方向发生变化的光波导通路的第1反射部中发生COD破坏。本发明涉及的发光装置100包括活性层106、和夹持活性层106的第1包覆层104和第2包覆层108，活性层106构成使光波进行传导的光波导通路160，光波导通路160为在被设置在活性层106的第1侧面131并使光反射的第1反射部190，在光波导通路160传导的光波的行进方向发生变化，从活性层106和第1包覆层104的层叠方向观察，第1反射部190位于设置有第1包覆层104和第2包覆层108的区域的外侧。

技术领域

本发明涉及发光装置、超辐射发光二极管及投影器。

背景技术

超辐射发光二极管（Super Luminescent Diode，以下也称为“SLD”）是如下的半导体发光元件，即，与普通的发光二极管同样地显示非相干性，且显示宽带的光谱形状，同时在光输出特性中与半导体激光同样地能够以单一的元件得到达数百mW左右的输出。

SLD例如作为投影器的光源使用，但为了实现小型且高亮度的投影器，需要使用光输出大且光学扩展量（Etendue）小的光源。因此，期望从光波导通路射出的光向相同的方向行进。例如在专利文献1中，公开了一种具备在活性层的反射部（反射面）光的行进方向发生变化的光波导通路的发光装置，这样的发光装置能够使从2个光射出部射出的光向相同的方向行进。

专利文献1：日本特开2011-155103号公报

然而，在如上所述的发光装置中，难以使反射部（反射面）以原子水平形成为平坦的面，有时在反射部形成微细的凹凸。因此，在反射部和反射部附近的包覆层产生由非发光再结合引起的发热，有时因该发热而引起在反射部的光吸收增大，在反射部发生COD（Catastrophic Optical Damage，光学灾变）破坏。

本发明的几个方式涉及的目的之一在于提供一种发光装置，该发光装置能够抑制在光的行进方向发生变化的光波导通路的反射部发生COD破坏。另外，本发明的几个方式涉及的目的之一在于提供一种超辐射发光二极管，该超辐射发光二极管能够抑制在光的行进方向发生变化的光波导通路的反射部发生COD破坏。另外，本发明的几个方式涉及的目的之一在于提供一种投影器，该投影器包括上述发光装置或上述超辐射发光二极管。

发明内容

本发明涉及的发光装置包括：

活性层；和

夹持上述活性层的第1包覆层和第2包覆层，

上述活性层构成使光波进行传导的光波导通路，

上述光波导通路为，在被设置于上述活性层的第1侧面且使光反射的第1反射部，在上述光波导通路内传导的光波的行进方向发生变化，

从上述活性层和上述第1包覆层的层叠方向观察，上述第1反射部位于设置有上述第1包覆层和上述第2包覆层的区域的外侧。

根据这样的发光装置，能够抑制在光的行进方向发生变化的光波导通路的第1反射部发生COD破坏。

在本发明涉及的发光装置中，

在上述第1反射部可以扩散有II族或XII族的元素。

根据这样的发光装置，能够使构成第1反射部的活性层的带隙比活性层中的没有扩散II族或XII族的元素的部分的带隙大。其结果，在第1反射部中，能够抑制量子阱中的光的再吸收，能够抑制COD破坏的发生。

在本发明涉及的发光装置中，

上述光波导通路可以具有：

第1部分，连接被设置在上述活性层的第2侧面的第1射出部和上述第1反射部、且具有带状形状；